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本发明提供对使GaN结晶成长有效的多晶氮化铝基板。其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有1～10质量％的烧结助剂成分，热传导率150W/m·K以上，且在基板表面没有最大直径超过200μm的凹部。...
该专利属于株式会社东芝;东芝高新材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝高新材料公司授权不得商用。

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