薄膜晶体管基板制造技术

本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，其特征是，所述薄膜晶体管基板包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李瑛长，孙庚模，李昭珩，郑昊暎，朴文镐，李成秦，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR