阵列基板及其制作方法、液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于液晶显示领域，公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，所述方法包括：在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，在所述蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区；在所述蚀刻阻挡层上形成源漏电极层；在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。本发明专利技术需要去除的金属氧化物半导体层仅是位于隔离区的，避免了大面积刻蚀蚀刻阻挡层造成的资源浪费。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
本专利技术涉及显示领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括LCD(LiquidCrystalDisplay：液晶显示器)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode:有机发光二极管)显示器。尤其是LCD平板显示器，由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、电脑、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等多个领域。在成像过程中，LCD显示器中每一液晶像素点都由集成在TFT阵列基板中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：简称TFT)来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示；有源矩阵驱动式OLED(ActiveMatrixOrganicLightEmissionDisplay，简称AMOLED)显示器中由TFT基板中的TFT驱动OLED面板中对应的OLED像素，再配合外围驱动电路，实现图像显示。在上述显示器中，TFT是控制发光的开关，是实现液晶显示器和OLED显示器大尺寸的关键，直接关系到高性能平板显示器的发展方向。在现有平板显示器生产技术中，已实现产业化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT、单晶硅TFT等，用于制备平板显示器中阵列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，随着技术的发展，出现了金属氧化物TFT，金属氧化物TFT具有载流子迁移率高的优点，使得TFT可以做的很小，而使平板显示器的分辨率越高，显示效果越好；同时用金属氧化物TFT还具有特性不均现象少、材料和工艺成本降低、工艺温度低、可利用涂布工艺、透明率高、带隙大等优点，备受业界关注。目前，制作金属氧化物TFT一般采用六次光刻工艺，主要是因为在刻蚀源漏金属电极时会腐蚀掉金属氧化物半导体层，因此一般在金属氧化物半导体层上面增加一次刻蚀阻挡层，以便保护金属氧化物半导体层在刻蚀源漏金属电极的过程中不被源漏金属的刻蚀液腐蚀。一般来说，在制作金属氧化物TFT过程中所用掩模板的数量越少，生产效率越高，成本就越低。
技术实现思路
为了解决现有制作金属氧化物TFT过程中效率较低，成本较高的问题，本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置。本专利技术采用的技术方案是：一种阵列基板的制作方法，包括：在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，在所述蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区；在所述蚀刻阻挡层上形成源漏电极层；在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。本专利技术还提供了一种阵列基板，包括：形成在基板上的栅电极、栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；形成在所述蚀刻阻挡层上的源漏电极层；所述蚀刻阻挡层形成有围绕源漏电极图案的隔离区，所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。本专利技术还提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。本专利技术的有益效果是：本专利技术制作阵列基板形成的金属氧化物半导体层在形成蚀刻阻挡层之前不进行刻蚀，对蚀刻阻挡层进行构图工艺形成源、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区，在形成源漏电极层之后通过一次构图工艺去除隔离区的金属氧化物半导体，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。本专利技术需要去除的金属氧化物半导体层仅是位于隔离区的，为此，蚀刻阻挡层在源漏电极图案之外的区域的刻蚀只需刻蚀隔离区位置对应的部分，也避免了大面积刻蚀蚀刻阻挡层造成的资源浪费。附图说明图1为本专利技术一种实施例的阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术形成阵列基板的第一次构图工艺的示意图；图3为本专利技术形成阵列基板的第二次构图工艺的示意图；图4为本专利技术形成阵列基板的第三次构图工艺的示意图；图5为本专利技术形成阵列基板的第四次构图工艺的示意图；图6为本专利技术形成阵列基板的第五次构图工艺的示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括如下步骤：S101：在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；S102：对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，在所述蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区；S103：在所述蚀刻阻挡层上形成源漏电极层；S104：在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。本专利技术制作阵列基板形成的金属氧化物半导体层在形成蚀刻阻挡层之前不进行刻蚀，对蚀刻阻挡层进行构图工艺形成源、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区，在形成源漏电极层之后通过一次构图工艺去除隔离区的金属氧化物半导体，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。本专利技术需要去除的金属氧化物半导体层仅是位于隔离区的，为此，蚀刻阻挡层在源漏电极图案之外的区域的刻蚀只需刻蚀隔离区位置对应的部分，也避免了大面积刻蚀蚀刻阻挡层造成的资源浪费。步骤S101之前还包括形成栅电极和栅绝缘层的步骤，如图2和3所示，在基板1上形成栅金属膜，对所述栅金属膜通过一次构图工艺形成栅电极图案。在形成栅电极2之后，在所述栅电极上形成栅绝缘层3。形成栅绝缘层3之后，在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层4和位于金属氧化物半导体层4上的蚀刻阻挡层5。现有工艺在该步骤需要对金属氧化物半导体层进行刻蚀，需要进行一次光刻操作。而本专利技术在该步骤中不对金属氧化物半导体层4进行刻蚀，直接在金属氧化物半导体层4上形成蚀刻阻挡层5。步骤S102中，对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，在所述蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区。其中，源漏电极图案的隔离区是指围绕在源漏电极图案周围并与源漏电极图案相隔离的区域。该步骤对蚀刻阻挡层进行构图工艺可以采用刻蚀等构图工艺，构图工艺之后在蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及隔离区。步骤S103中，在所述蚀刻阻挡层上形成源漏电极层，利用构图工艺形成源漏电极层。形成源漏电极层的构图工艺可以采用现有的刻蚀工艺。步骤S104中，在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，围绕在源漏电极图案的隔离区中具有金属氧化物半导体，隔离区的金属氧化物半导体是与其他区域的金属氧化物半导体连接在一起的。该步骤通过一次构图工艺去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。优选地，该步骤在通过一次构图工艺形成源漏电极图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，在所述蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区；在所述蚀刻阻挡层上形成源漏电极层；在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；对蚀刻阻挡层进行一次构图工艺，在所述蚀刻阻挡层上形成源电极接触区过孔、漏电极接触区过孔以及围绕待形成的源漏电极图案的隔离区；在所述蚀刻阻挡层上形成源漏电极层；在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分，以使所述金属氧化物半导体层在与所述隔离区对应的位置断开。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在对所述源漏电极层进行一次构图工艺形成源漏电极图案的过程中，是通过源漏电极刻蚀介质去除金属氧化物半导体层与所述隔离区对应的部分。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层的步骤之前，还包括：在基板上形成栅金属膜，通过一次构图工艺形成栅电极图案；在所述栅电极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成金属氧化物半导体层，所述蚀刻阻挡层形成在所述金属氧化物半导体层上。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成源漏电极层的步骤包括：在所述蚀刻阻挡层上形成金属膜，对所述金属膜进行一次构图工艺形成源漏电极图案、数据线图案。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11