支承玻璃基板及使用其的层叠体制造技术

本发明专利技术的技术课题在于，通过创制不易发生加工基板的尺寸变化的支承基板、及使用其的层叠体，从而有助于半导体封装体的高密度安装。本发明专利技术的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】支承玻璃基板及使用其的层叠体
本专利技术涉及支承玻璃基板及使用其的层叠体，具体而言，涉及在半导体封装体的制造工序中用于加工基板的支承的支承玻璃基板及使用其的层叠体。
技术介绍
对于手机、笔记本型个人电脑、PDA(PersonalDataAssistance，个人数字化处理器)等便携型电子设备，要求小型化及轻量化。与此相伴的是，这些电子设备中使用的半导体芯片的安装空间也受到严格限制，半导体芯片的高密度安装成为课题。因此，近年来，通过三维安装技术、即将半导体芯片彼此层叠并对各半导体芯片间进行布线连接而寻求半导体封装体的高密度安装。此外，目前的晶片级封装(WLP)是以晶片的状态形成凸块后通过切割单片化而制作的。但是，目前的WLP存在难以增加针数、以及在半导体芯片的背面露出的状态进行安装，因此半导体芯片容易产生缺口等问题。因此，作为新型的WLP，提出了散出(fanout)型的WLP。散出型的WLP能够使针数增加，此外，能够通过保护半导体芯片的端部而防止半导体芯片的缺口等。
技术实现思路
专利技术要解决的课题就散出型的WLP而言，具有：将多个半导体芯片用树脂密封材料密封而形成加工基板后，在加工基板的一个表面进行布线的工序；和形成焊料凸块的工序；等。这些工序由于伴随有约200℃的热处理，因此有密封材料变形、发生加工基板的尺寸变化之虞。发生加工基板的尺寸变化时，对加工基板的一个表面进行高密度布线变得困难，此外也难以正确地形成焊料凸块。为了抑制加工基板的尺寸变化，使用用于支承加工基板的支承基板是有效的。但是，即使是使用支承基板的情况下，也存在发生加工基板的尺寸变化的情况。本专利技术是鉴于上述情况而作出的，其技术课题在于，通过创制出不易发生加工基板的尺寸变化的支承基板及使用其的层叠体，从而有助于半导体封装体的高密度安装。用于解决课题的手段本专利技术人反复进行了各种实验，结果发现，通过在选择玻璃基板作为支承基板时严密地规定该玻璃基板的热膨胀系数，从而能够解决上述技术课题，由此提出了本专利技术。即，本专利技术的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10－7/℃且为110×10－7/℃以下。其中，“20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数”可以通过膨胀计来测定。玻璃基板容易对表面进行平滑化、且具有刚性。因此，使用玻璃基板作为支承基板时，可以使加工基板坚固、且准确地进行。此外，玻璃基板容易透过紫外光、红外光等光。因此，使用玻璃基板作为支承基板时，通过用紫外线固化型粘合剂等设置粘接层等，可以容易地将加工基板和支承玻璃基板固定。此外，通过设置吸收红外线的剥离层等，还可以容易地将加工基板和支承玻璃基板分离。作为另一方式，通过用紫外线固化型胶带等设置粘接层等，可以容易将地将加工基板和支承玻璃基板分离。此外规定，本专利技术的支承玻璃基板在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10－7/℃且为110×10－7/℃以下。由此，在加工基板内半导体芯片的比例少、密封材料的比例多时，加工基板和支承玻璃基板的热膨胀系数变得容易匹配。并且，在两者的热膨胀系数匹配时，在加工处理时，加工基板的尺寸变化(特别是翘曲变形)变得容易控制。结果是，可以对加工基板的一个表面进行高密度布线，此外还可以准确地形成焊料凸块。第二，本专利技术的支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过85×10－7/℃且为115×10－7/℃以下。其中，“30～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数”可以通过膨胀计来测定。第三，本专利技术的支承玻璃基板优选在半导体封装体的制造工序中用于加工基板的支承。第四，本专利技术的支承玻璃基板优选是通过溢流下拉法成型而成的。第五，本专利技术的支承玻璃基板优选杨氏模量为65GPa以上。其中，“杨氏模量”是指通过弯曲共振法测定的值。需要说明的是，1GPa相当于约101.9Kgf/mm2。第六，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO250～80％、Al2O31～20％、B2O30～20％、MgO0～10％、CaO0～10％、SrO0～7％、BaO0～7％、ZnO0～7％、Na2O0～25％、K2O0～25％作为玻璃组成。第七，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO255～70％、Al2O33～18％、B2O30～8％、MgO0～5％、CaO0～10％、SrO0～5％、BaO0～5％、ZnO0～5％、Na2O2～23％、K2O0～20％作为玻璃组成。第八，本专利技术的支承玻璃基板优选：板厚小于2.0mm，板厚偏差为30μm以下且翘曲量为60μm以下。其中，“翘曲量”是指支承玻璃基板总体中的最高位点和最小二乘焦点面之间的最大距离的绝对值与最低位点和最小二乘焦点面的绝对值之和，例如可以通过KOBELCOresearchinstitute公司制的Bow/Warp测定装置SBW－331ML/d来测定。第九，本专利技术的层叠体，其特征在于，其为至少具备加工基板、和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体，支承玻璃基板上述的支承玻璃基板。第十，本专利技术的层叠体优选：加工基板至少具备用密封材料进行了密封的半导体芯片。第十一，本专利技术的半导体封装体的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体的工序、输送层叠体的工序、和对加工基板进行加工处理的工序，并且支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。需要说明的是，“输送层叠体的工序”和“对加工基板进行加工处理的工序”不必分别进行，是可以同时进行的。第十二，本专利技术的半导体封装体的制造方法优选：加工处理包括在加工基板的一个表面进行布线的工序。第十三，本专利技术的半导体封装体的制造方法优选：加工处理包括在加工基板的一个表面形成焊料凸块的工序。第十四，本专利技术的半导体封装体，其特征在于，其是利用上述的半导体封装体的制造方法制作的。第十五，本专利技术的电子设备，其特征在于，其为具备半导体封装体的电子设备，半导体封装体为上述的半导体封装体。附图说明图1为示出本专利技术的层叠体的一例的透视概况图。图2为示出散出型的WLP的制造工序的剖面概况图。具体实施方式本专利技术的支承玻璃基板中，在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10－7/℃且为110×10－7/℃以下，优选为82×10－7/℃以上且95×10－7/℃以下、特别是83×10－7/℃以上且91×10－7/℃以下。在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数在上述范围外时，加工基板和支承玻璃基板的热膨胀系数变得难以匹配。并且，两者的热膨胀系数变得不匹配时，加工处理时容易产生加工基板的尺寸变化(特别是翘曲变形)。在30～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过85×10－7/℃且115×10－7/℃以下，优选为86×10－7/℃以上且100×10－7/℃以下、特别是87×10－7/℃以上且95×10－7/℃以下。在30～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数在上述范围外时，加工基板和支承玻璃基板的热膨胀系数变得难以匹配。并且，两者的热膨胀系数变得不匹配时，加工处理时容易产生加工基板的尺寸变化(特别是翘曲变形)。本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO250～80本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.03 JP 2014-178807;2014.10.15 JP 2014-210431.一种支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10－7/℃且为110×10－7/℃以下。2.一种支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过85×10－7/℃且为115×10－7/℃以下。3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，其在半导体封装体的制造工序中用于加工基板的支承。4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其是通过溢流下拉法成型而成的。5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，杨氏模量为65GPa以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO250％～80％、Al2O31％～20％、B2O30％～20％、MgO0％～10％、CaO0％～10％、SrO0％～7％、BaO0％～7％、ZnO0％～7％、Na2O0％～25％、K2O0％～25％作为玻璃组成。7.根据权利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO255％～70％、Al2O33％～18％、B2O30％～8％、MgO0％～5...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木良太，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP