共平面型氧化物半导体TFT基板结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构及其制作方法，所述共平面型氧化物半导体TFT基板结构中，有源层包括本体及连接本体的数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开，使得所述有源层具有较高的迁移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。本发明专利技术提供的一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构的制备方法，通过在源极与漏极之间形成间隔设置的数个条状金属电极，使得沉积氧化物半导体层时，可以在源极与漏极之间形成由数个条状金属电极间隔开的数条短沟道，该方法简单，不需要额外的光罩或者增加制程，即可获得不同于现有结构的有源层，制得的有源层具有较高的迁移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面显示器领域，尤其涉及一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构及其制作方法。
技术介绍
主动矩阵平面显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。其中，有机发光二极管(organic light-emitting d1de，0LED)显示技术是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于薄膜晶体管型液晶显示屏(TFT_LCD，Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay)，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示
中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研宄的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。氧化物半导体(Oxide Semiconductor)由于具有较高的电子迀移率，具有非晶结构，与非晶硅制程兼容性较高，从而在OLED大尺寸面板生产中得到了广泛的应用。目前，氧化物半导体TFT基板的常用结构为具有蚀刻阻挡层(ESL，EtchingStopLayer)的结构，但该结构本身存在一些问题，如蚀刻均一性难以控制，需要多加一道光罩及光刻制程，栅极与源/漏极交叠，存储电容较大，难以达到高分辨率等。相比于具有蚀刻阻挡层的结构，共平面型(Coplanar)氧化物半导体TFT基板结构更为合理，更具有量产前途。如图1至图5所示，为现有的一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤:步骤1、提供基板100，并在基板100上沉积第一金属层，并通过光刻制程使第一金属层图案化，形成间隔设置的第一栅极210与第二栅极220 ;步骤2、在第一栅极210、第二栅极220、及基板100上沉积栅极绝缘层300，并通过光刻制程使其图案化，在所述栅极绝缘层300上对应所述第二栅极220上方形成第一通孔310 ；步骤3、在栅极绝缘层300上沉积第二金属层，并通过光刻制程使第二金属层图案化，形成间隔设置的源极410与漏极420，并且所述漏极420上形成有第二通孔425 ;具体的，所述漏极420经由第一通孔310与第二栅极220相连。步骤4、在源极410、漏极420、及栅极绝缘层300上沉积氧化物半导体层，并通过光刻制程使其图案化，形成有源层500，所述有源层500包括本体520及连接本体520且位于源极410与漏极420之间的沟道510 ；步骤5、在有源层500、源极410、及漏极420上沉积钝化层600，并通过光刻制程对其进行图案化，在所述钝化层600上对应漏极420上方形成第三通孔610。具体的，所述钝化层600填充所述漏极420上的第二通孔425。上述制作方法得到的一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构中，所述有源层500的沟道510为一条长沟道，所述有源层500具有较低的迀移率及较高的漏电流，TFT器件的性能较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构，有源层包括本体及连接本体的数条短沟道，数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开，使得有源层具有较高的迀移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。本专利技术的目的还在于提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构的制备方法，通过一道光刻制程形成源极、漏极、及位于源极与漏极之间且间隔设置的数个条状金属电极，使得下一制程沉积氧化物半导体层时，可以在源极与漏极之间形成数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开，该方法简单，不需要使用额外的光罩或者增加制程，即可获得不同于现有技术的有源层结构，制得的有源层具有较高的迀移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。为实现上述目的，本专利技术提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构，包括:基板，位于基板上的第一栅极与第二栅极，位于第一栅极、第二栅极、及基板上的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上的源极、漏极、及位于源极与漏极之间且间隔设置的数个条状金属电极，位于所述源极、漏极、条状金属电极、及栅极绝缘层上的有源层，位于所述有源层、源极、及漏极上的钝化层；其中，所述有源层包括本体及连接本体且位于源极与漏极之间的数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开。所述栅极绝缘层上对应所述第二栅极上方设有第一通孔，所述漏极经由第一通孔与第二栅极相连。所述漏极上设有第二通孔，所述钝化层填充该第二通孔；所述钝化层上对应所述漏极上方设有第三通孔。所述有源层的材料为金属氧化物；所述第一栅极与第二栅极的材料为铜、铝、或钼；所述栅极绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。所述源极、漏极、及条状金属电极的材料为铜、铝、或钼；所述钝化层的材料为氮化硅或氧化硅。本专利技术还提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构的制备方法，其包括如下步骤:步骤1、提供基板，并在基板上沉积第一金属层，并通过光刻制程使第一金属层图案化，形成间隔设置的第一栅极与第二栅极；步骤2、在所述第一栅极、第二栅极、及基板上沉积栅极绝缘层，并通过光刻制程使其图案化，在所述栅极绝缘层上对应所述第二栅极上方形成第一通孔；步骤3、在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，并通过光刻制程使第二金属层图案化，形成源极、漏极、及位于源极与漏极之间且间隔设置的数个条状金属电极；所述漏极经由第一通孔与第二栅极相连；所述漏极上形成有第二通孔；步骤4、在所述源极、漏极、条状金属电极、及栅极绝缘层上沉积氧化物半导体层，并通过光刻制程使其图案化，形成有源层，所述有源层包括本体及连接本体且位于源极与漏极之间的数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开；步骤5、在所述有源层、源极、及漏极上沉积钝化层，并通过光刻制程使其图案化，在所述钝化层上对应漏极上方形成第三通孔；所述钝化层填充所述漏极上的第二通孔。 所述有源层的材料为金属氧化物。所述第一栅极与第二栅极的材料为铜、铝、或钼；所述栅极绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。所述源极、漏极、及条状金属电极的材料为铜、铝、或钼。所述钝化层的材料为氮化硅或氧化硅。本专利技术的有益效果:本专利技术提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构及其制备方法，所述共平面型氧化物半导体TFT基板结构中，所述有源层包括本体及连接本体的数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开，使得所述有源层具有较高的迀移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。本专利技术提供的一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构的制备方法，通过一道光刻制程形成源极、漏极、及位于源极与漏极之间且间隔设置的数个条状金属电极，使得下一制程沉积氧化物半导体层时，可以在源极与漏极之间形成数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开，该方法简单，不需要使用额外的光罩或者增加制程，即可获得不同于现有技术的有源层结构，制得的有源层具有较高的迀移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。【附图说明】下面结合附图，通过对本专利技术的【具体实施方式】详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构，其特征在于，包括：基板(10)，位于基板(10)上的第一栅极(21)与第二栅极(22)，位于第一栅极(21)、第二栅极(22)、及基板(10)上的栅极绝缘层(30)，位于栅极绝缘层(30)上的源极(41)、漏极(42)、及位于源极(41)与漏极(42)之间且间隔设置的数个条状金属电极(43)，位于所述源极(41)、漏极(42)、条状金属电极(43)、及栅极绝缘层(30)上的有源层(50)，位于所述有源层(50)、源极(41)、及漏极(42)上的钝化层(60)；其中，所述有源层(50)包括本体(51)及连接本体(51)且位于源极(41)与漏极(42)之间的数条短沟道(52)，所述数条短沟道(52)通过数个条状金属电极(43)间隔开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晓文，曾志远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44