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本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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