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本发明涉及一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积...
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