【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种分栅电阻器的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成分栅电阻层以及硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述分栅电阻层；在所述第一沟槽中形成第一侧墙；刻蚀所述第一沟槽中的所述分栅电阻层，形成第二沟槽；在所述第二沟槽中依次形成第二侧墙和虚拟栅极，所述第二侧墙隔离所述分栅电阻层与虚拟栅极；刻蚀去除所述硬掩模层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高超，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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