温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种分栅电阻器结构及其制作方法，由所述硬掩模层作阻挡刻蚀形成第一沟槽，然后在所述第一沟槽中形成第一侧墙，接着刻蚀所述第一侧墙，形成第二沟槽，然后在所述第二沟槽中依次形成第二侧墙和虚拟栅极，最后去除所述硬掩模层；由于在进行上述步骤时...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。