【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MIM电容器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在100?200℃温度范围内，去除所述基底表面的水汽；去除所述水汽后，在所述基底上形成AlCu层；在所述AlCu层上形成介质层；在所述介质层上形成金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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