本发明专利技术提供了一种使用化学气相沉积(CVD)反应器用于制造多晶硅的装置。所述用于制造多晶硅的装置包括：反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接；至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供了一种使用化学气相沉积(CVD)反应器用于制造多晶硅的装置。所述用于制造多晶硅的装置包括：反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接；至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物。【专利说明】用于制造多晶硅的装置
本专利技术涉及一种用于制造多晶硅的装置，并且特别是，本专利技术涉及包括电极盖的用于制造多晶硅的装置。
技术介绍
多晶硅或多结晶硅在半导体产业、太阳能发电产业等中是用作基本材料的成分。在用于制造多晶硅的方法中，已知使用化学气相沉积(CVD)反应器的西门子沉淀法。根据西门子沉淀法的用于制造多晶硅的装置包括连接在基底上的反应器盖、至少一对穿过基底安装的电极、通过电极夹头与电极親合的丝极，和连接一对丝极的上端的连接杆。该对电极与电源连接，并通过由绝缘材料制成的衬套和间隔环与基底绝缘。从电源供给的电力通过电极、电极夹头、丝极和连接杆，并再次经由丝极、电极夹头、和电极输入至电源。当施加电力时，硅材料的丝极导致温度在1000 °C或以上的电阻热，并且当硅烷材料气体和氢气在高压的条件下被注入60小时至80小时时，硅以多晶的形式沉淀在丝极的表面上。在这个过程中，电极通过例如水冷却的方式来冷却，但是电极接触电极夹头的上部温度会升高到800°C或以上。因此，硅沉积在电极的上表面和间隔环上，其结果是，电极和基底之间的绝缘特性变差。此外，在丝极的下部产生由电极造成的热损失。在
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此其可能包含不构成在这个国家本
中的普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
技术问题本专利技术致力于提供一种用于制造多晶硅的装置，其具有基底对电极保持绝缘特性的优点，使得不会在电极与间隔环上沉积硅，抑制了由于电极的丝极的热损失，并降低维护成本。技术方案本专利技术示例性的实施方式提供了一种用于制造多晶硅的装置，其包括:反应室，其包括基底和反应器盖;至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接;至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合(couple)并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物(cover shield)。所述电极可具有在其上表面上形成的与所述电极夹头接合的凸起。所述电极盖可以包括水平盖和垂直盖，所述水平盖形成容纳所述凸起的开口并且布置在所述电极的上表面上，所述垂直盖在所述水平盖的边缘与所述水平盖垂直连接。所述水平盖和所述垂直盖可以分别构造，以使其能够被单独更换。所述电极盖可以包括选自恪融氧化娃(S12)、氮化娃(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化错(ZrO2)、氧化镁(MgO)、和莫来石(3AI2O3.2Si02)中的任一种。所述盖屏蔽物可形成一个容纳所述凸起的开口，并且具有直径大于所述水平盖的圆盘形。所述盖屏蔽物可以包括形成容纳所述凸起的开口和覆盖所述水平盖的上表面的第一屏蔽物，以及与第一屏蔽物的边缘连接以覆盖所述垂直盖的外表面的第二屏蔽物。所述第一屏蔽物和所述第二屏蔽物可以分别构造，以使其能够是单独可更换的。所述盖屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成。只要所述盖屏蔽物不影响多晶硅的沉积，所述盖屏蔽物在多晶硅制造后可以换新或重复使用。本专利技术的另一个示例性的实施方式提供了一种用于制造多晶硅的装置，包括:反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过基底安装并与电源连接;至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及电极盖，所述电极盖在所述基底上围绕所述电极的上表面和侧面，其中所述电极夹头包括覆盖所述电极盖的上表面的下端。所述电极可具有在其上表面上形成的与所述电极夹头接合的凸起。所述电极盖可以包括水平盖和垂直盖，所述水平盖形成容纳所述凸起的开口并且布置在所述电极的上表面上，所述垂直盖在所述水平盖的边缘与所述水平盖垂直连接。所述水平盖和所述垂直盖可以分别构造，以使其能够被单独更换。所述电极盖可以包括选自恪融氧化娃(S12)、氮化娃(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化错(ZrO2)、氧化镁(MgO)、和莫来石(3AI2O3.2Si02)中的任一种。所述电极夹头可以包括固定丝极的末端的夹头部，和连接在所述夹头部下方的屏蔽部。所述屏蔽部的直径可以大于所述夹头部的最大直径，并且等于或大于所述电极盖的直径。用于制造多晶硅的装置可进一步包括辅助屏蔽物。所述辅助屏蔽物可以在所述屏蔽部的边缘与所述屏蔽部垂直连接，以覆盖所述垂直盖的外表面。所述电极夹头和所述辅助屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成，并且所述辅助屏蔽物可以与所述屏蔽部可拆卸地组装。所述电极夹头可以包括固定所述丝极的上端，和连接所述上端和下端的单斜侧面。所述下端的直径可以等于或大于所述电极盖的直径。用于制造多晶硅的装置可进一步包括辅助屏蔽物。所述辅助屏蔽物可以在所述下端的边缘与所述下端垂直连接，以覆盖所述垂直盖的外表面。所述电极夹头和所述辅助屏蔽物可以由包括石墨的基于碳的材料制成，并且所述辅助屏蔽物可以与所述下端可拆卸地组装。有益效果根据本专利技术的示例性实施方式，由于因电极盖而在制造多晶硅的过程中不在电极上以及间隔环的表面上沉积多晶硅，所以可以大大地保持基底对于电极的绝缘特性。另外，由于盖屏蔽物或电极夹头的下端覆盖电极盖的上表面，因此可以省略电极盖的清洁操作，可大大地减少用于制造多晶硅的装置的维护成本。【附图说明】图1是根据本专利技术的第一示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的剖面图。图2是图1所示的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。图3是图2所示的盖组件的分解示意图。图4是根据本专利技术的第二示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。图5是根据本专利技术的第三示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。图6和图7是根据本专利技术的第四示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。图8和图9是根据本专利技术的第五示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。图10和图11是根据本专利技术的第六示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。图12和图13是根据本专利技术的第七示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。【具体实施方式】下文将参考附图更充分地描述本专利技术，其中示出了本专利技术的示例性实施方式。正如本领域的技术人员所认知的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式来修改，但都不脱离本专利技术的精神或范围。图1是根据本专利技术的第一示例性实施方式的用于制造多晶硅的装置的剖面图，图2是图1所示的用于制造多晶硅的装置的局部放大图。参考图1和图2，用于制造多晶硅100的装置100由设置有可加热硅丝的化学气相沉积(CVD)反应器构造。具体而言，用于制造多晶硅的装置100包括反应室1、至少一对电极20、至少一对丝极30和多个盖组件40。反应室10由基底11(或者，底板)，和安装在基底11上的反应器盖12构造。反应器盖12可以具有钟形，以及可以由在其中有冷却流体流动的双壁结构形成。反应本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于制造多晶硅的装置，包括：反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接；至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴奎学，朴成殷，朴济城，李熙东，
申请(专利权)人：韩化石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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