一种新型太阳能多晶硅片制造技术

技术编号:15245007 阅读:114 留言:0更新日期:2017-05-01 19:24
本实用新型专利技术公开了一种新型太阳能多晶硅片,包括本体,本体由多硅晶片构成,本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,顺丁橡胶层外表面设置有绝缘保护膜层。本实用新型专利技术其设计合理,结构简单,大大提高了光电转转化率,也降低了其在运输过程中和使用过程中的破损情况,延长了使用寿命。

Novel solar polycrystalline silicon sheet

The utility model discloses a novel solar polysilicon film, including ontology, ontology consists of silicon wafer, the upper surface of the body is provided with a corrosion texturing a suede, suede spaced grooves, a glass panel mounting groove, between the silicon wafer spacing distance is 6mm ~ 7mm, between silicon wafers are connected by the substrate, consistent with the length of the glass panel groove of the substrate is coated on the surface of body length, a silicon nitride layer, the body is surrounded with polybutadiene rubber layer, butadiene rubber layer body, suede and the silicon nitride layer covering the surface of 4 weeks, butadiene rubber layer is provided with an insulating protective film. The utility model has the advantages of reasonable design and simple structure, greatly improves the photoelectric conversion rate, reduces the damage situation during the transportation and the use process, and prolongs the service life.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏发电
,尤其涉及一种新型太阳能多晶硅片
技术介绍
已知随着全球经济的不断发展,能源消耗不断急剧增大,其中对于化石燃料使用在增大,从而导致资源的日渐减少,而且造成了大量二氧化碳气体的排放,因此现在社会和政府越来越重视可再生能源的开发与利用,特别是光伏发电的开发利用,其中的多晶硅太阳能电池兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿面以及非晶硅薄膜电池的材料制备工艺,然而现有的多晶硅太阳能电池存在转换效率不高,易碎等缺点,而且其结构较复杂,不利于生产与制造,从而加大了成本的投入,不适合大面积的推广。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术提供了一种新型太阳能多晶硅片。为了实现上述目的,本技术所采取的技术方案是:一种新型太阳能多晶硅片,包括本体,本体由多硅晶片构成,本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,顺丁橡胶层外表面设置有绝缘保护膜层,通过绝缘保护膜层有利于方便人们的安全使用,也有利于延长其设备的使用寿命。所述本体的厚度为180μm~200μm。所述氮化硅层的厚度为100μm。所述多硅晶片之间的间隔距离为6.5mm。所述基板为白色反光层或银色反光层,提高了发射率。本技术的有益效果:本技术本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,一方面多硅晶片之间的基板上太阳能能够反射到绒面凹槽的玻璃面板中,玻璃面板将部分阳光再经过反射到多硅晶片上,从而增加了多硅晶片的上光强度,提高了光电转转化率,另一方面绒面和氮化硅层也提高了转化率;本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,降低了其在运输过程中的破损情况。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式如图1所示,一种新型太阳能多晶硅片,包括本体,本体由多硅晶片1构成,所述本体的厚度为180μm~200μm,本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面2,绒面2上间隔分布有凹槽21,凹槽21中安装有玻璃面板22,多硅晶片1之间的间隔距离为6mm~7mm,所述多硅晶片1之间的间隔距离为6.5mm,多硅晶片1之间通过基板1相互连接,基板12的长度与凹槽21中玻璃面板22的长度相一致,所述基板12为白色反光层或银色反光层,提高了发射率,本体1下表面涂覆有一氮化硅层3,所述氮化硅层3的厚度为100μm,本体四周设置有顺丁橡胶层4,顺丁橡胶层4将本体1、绒面2和氮化硅层3四周包覆住,顺丁橡胶层4外表面设置有绝缘保护膜层5,通过绝缘保护膜层5有利于方便人们的安全使用,也有利于延长其设备的使用寿命。本技术在使用的过程中由于本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面2,绒面2上间隔分布有凹槽21,凹槽21中安装有玻璃面板22,阳光部分被照射到多硅晶片1之间的基板11上,由于基板11为白色反光层或银色反光层,从而提高了发射到多晶硅片1上的阳光,从而提高了光电转化率,再加上本体上表面设置有绒面2,本体下表面设置有氮化硅层3,也有利于提高转化率,从而使得太阳能多晶硅片1的光电转化率得到大大的提高,同时在本体四周包覆有顺丁橡胶层4,顺丁橡胶层4外表面设有绝缘保护膜层5,从而大大提高了其使用寿命。本技术的有益效果:本技术本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,一方面多硅晶片之间的基板上太阳能能够反射到绒面凹槽的玻璃面板中,玻璃面板将部分阳光再经过反射到多硅晶片上,从而增加了多硅晶片的上光强度,提高了光电转转化率,另一方面绒面和氮化硅层也提高了转化率;本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,降低了其在运输过程中的破损情况。本文档来自技高网...
一种新型太阳能多晶硅片

【技术保护点】
一种新型太阳能多晶硅片,包括本体,本体由多硅晶片构成,其特征在于,本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,顺丁橡胶层外表面设置有绝缘保护膜层。

【技术特征摘要】
1.一种新型太阳能多晶硅片,包括本体,本体由多硅晶片构成,其特征在于,本体上表面设置有一腐蚀制绒成的绒面,绒面上间隔分布有凹槽,凹槽中安装有玻璃面板,多硅晶片之间的间隔距离为6mm~7mm,多硅晶片之间通过基板相互连接,基板的长度与凹槽中玻璃面板的长度相一致,本体下表面涂覆有一氮化硅层,本体四周设置有顺丁橡胶层,顺丁橡胶层将本体、绒面和氮化硅层四周包覆住,顺丁橡胶层外表面设置有绝缘保...

【专利技术属性】
技术研发人员:史志平
申请(专利权)人:常州晶昀新能源有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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