一种太阳能多晶硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种太阳能多晶硅片，其包括太阳能多晶硅片本体和顺丁橡胶层，太阳能多晶硅片本体的一外表面为腐蚀制绒成的绒面，绒面包括多个腐蚀坑体，多个腐蚀坑体的宽度为1.35～1.4μm，多个腐蚀坑体的长度为4.6～4.8μm，多个腐蚀坑体的深度为2.7～2.9μm，与该外表面相对的另一外表面涂布有氮化硅层，顺丁橡胶层包裹于太阳能多晶硅片本体的四侧壁。本实用新型专利技术公开的一种太阳能多晶硅片具有以下有益效果：1、太阳能多晶硅片本体的两个相对的外表面分别设有绒面和氮化硅层，提高了转化效率；2、在太阳能多晶硅片本体的四周包裹了顺丁橡胶层，降低了太阳能多晶硅片在运输等程序中破损率。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光伏技术工程领域，具体涉及一种太阳能多晶硅片。
技术介绍
单晶硅太阳电池单体可以有效吸收太阳能，并将其转化成电能的半导体部件。用半导体硅﹑硒等材料将太阳的光能变成电能的器件。具有可靠性高﹐寿命长﹐转换效率高等优点﹐可做人造卫星﹑航标灯﹑晶体管收音机等的电源。单晶硅太阳能电池在硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高(16％～20％)，技术也最为成熟。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。多晶硅太阳能电池兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿命以及非晶硅薄膜电池的材料制备工艺相对简化等优点的新一代电池，其转换效率一般为12％左右，稍低于单晶硅太阳电池，没有明显效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池。单晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳能电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶硅太阳能电池的研制。现有的多晶硅太阳能电池存在转换效率不高，易碎等缺点。
技术实现思路
技术目的：本技术针对上述现有技术存在的问题做出改进，即本技术公开了一种太阳能多晶硅片。技术方案：一种太阳能多晶硅片，包括太阳能多晶硅片本体和顺丁橡胶层，所述太阳能多晶硅片本体的一外表面为腐蚀制绒成的绒面，所述绒面包括多个腐蚀坑体，所述多个腐蚀坑体的宽度为1.35～1.4μm，所述多个腐蚀坑体的长度为4.6～4.8μm，所述多个腐蚀坑体的深度为2.7～2.9μm，与该外表面相对的另一外表面涂布有氮化硅层，所述顺丁橡胶层包裹于所述太阳能多晶硅片本体的四侧壁。进一步地，所述太阳能多晶硅片本体的厚度为165～175μm。进一步地，所述氮化硅层的厚度为70～90μm。有益效果：本技术公开的一种太阳能多晶硅片具有以下有益效果：1、太阳能多晶硅片本体的两个相对的外表面分别设有绒面和氮化硅层，提高了转化效率；2、在太阳能多晶硅片本体的四周包裹了顺丁橡胶层，降低了太阳能多晶硅片在运输等程序中破损率。附图说明图1为太阳能多晶硅片本体的结构示意图；图2为本技术公开的一种太阳能多晶硅片的立体示意图；其中：10-太阳能多晶硅片本体101-绒面20-氮化硅层30-顺丁橡胶层具体实施方式：下面对本技术的具体实施方式详细说明。具体实施例1一种太阳能多晶硅片，包括太阳能多晶硅片本体10和顺丁橡胶层30，太阳能多晶硅片本体10的一外表面为腐蚀制绒成的绒面101，绒面101包括多个腐蚀坑体，多个腐蚀坑体的宽度为1.35μm，多个腐蚀坑体的长度为4.6μm，多个腐蚀坑体的深度为2.7μm，与该外表面相对的另一外表面涂布有氮化硅层20，顺丁橡胶层30包裹于太阳能多晶硅片本体10的四侧壁。进一步地，太阳能多晶硅片本体10的厚度为165μm。进一步地，氮化硅层20的厚度为70μm。具体实施例2一种太阳能多晶硅片，包括太阳能多晶硅片本体10和顺丁橡胶层30，太阳能多晶硅片本体10的一外表面为腐蚀制绒成的绒面101，绒面101包括多个腐蚀坑体，多个腐蚀坑体的宽度为1.4μm，多个腐蚀坑体的长度为4.8μm，多个腐蚀坑体的深度为2.9μm，与该外表面相对的另一外表面涂布有氮化硅层20，顺丁橡胶层30包裹于太阳能多晶硅片本体10的四侧壁。进一步地，太阳能多晶硅片本体10的厚度为175μm。进一步地，氮化硅层20的厚度为90μm。具体实施例3一种太阳能多晶硅片，包括太阳能多晶硅片本体10和顺丁橡胶层30，太阳能多晶硅片本体10的一外表面为腐蚀制绒成的绒面101，绒面101包括多个腐蚀坑体，多个腐蚀坑体的宽度为1.37μm，多个腐蚀坑体的长度为4.7μm，多个腐蚀坑体的深度为2.8μm，与该外表面相对的另一外表面涂布有氮化硅层20，顺丁橡胶层30包裹于太阳能多晶硅片本体10的四侧壁。进一步地，太阳能多晶硅片本体10的厚度为170μm。进一步地，氮化硅层20的厚度为80μm。上面对本技术的实施方式做了详细说明。但是本技术并不限于上述实施方式，在所属
普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下做出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能多晶硅片，其特征在于，包括太阳能多晶硅片本体和顺丁橡胶层，所述太阳能多晶硅片本体的一外表面为腐蚀制绒成的绒面，所述绒面包括多个腐蚀坑体，所述多个腐蚀坑体的宽度为1.35～1.4μm，所述多个腐蚀坑体的长度为4.6～4.8μm，所述多个腐蚀坑体的深度为2.7～2.9μm，与该外表面相对的另一外表面涂布有氮化硅层，所述顺丁橡胶层包裹于所述太阳能多晶硅片本体的四侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能多晶硅片，其特征在于，包括太阳能多晶硅片本
体和顺丁橡胶层，
所述太阳能多晶硅片本体的一外表面为腐蚀制绒成的绒面，所述
绒面包括多个腐蚀坑体，所述多个腐蚀坑体的宽度为1.35～1.4μm，
所述多个腐蚀坑体的长度为4.6～4.8μm，所述多个腐蚀坑体的深度
为2.7～2.9μm，与该外表...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文丰，
申请(专利权)人：浙江泰丰太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33