一种新型多晶硅太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术提供一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的正面镀有反折射膜，反折射膜上面印主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述背电极为条形，有三根，每根背电极分为三段，每段长为20—23.2mm，本实用新型专利技术具有制造成本低，转换效率高等特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳一种多晶硅太阳能电池片。
技术介绍
太阳能电池片是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的器件，是一种新型电源，具有永久性、清洁性和灵活性三大特点。但现有的太阳能电池片存在转换效率低、生产成本高等不足。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述情况提供一种转换效率高的多晶硅太阳能电池片。本技术的目的可通过以下方案来实现:一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的正面镀有反折射膜，反折射膜上面印主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1-2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7-1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10—15nm，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65— 75nm，通过这两层反折射膜的设计大大提高了光电转换效率，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。这种主栅线和次栅线的结构设计，即可以节省印刷浆料，降低生产成本，也可以减少遮光面积，提升转换效率，所述背电极为条形，有三根，每根背电极分为三段，每段长为20-23.2mm，这种结构的背电极可以降低印刷浆料的使用，降低生产成本。本技术具有制造成本低，转换效率高等特点。【附图说明】图1，本技术结构示意图。图2，本技术正面结构示意图。图3，背电极结构示意图。【具体实施方式】对照图1、图2、图3、可知，一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片1，硅片的正面镀有反折射膜2，反折射膜上面印主栅线3和次栅线4，硅片的背面印有背电极5，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1-2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7-1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10—15nm，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65— 75nm，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形，所述背电极为条形，有三根，每根背电极分为二段，每段长为20—23.2mm。【主权项】1.一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片(1)，硅片的正面镀有反折射膜(2)，反折射膜上面印主栅线(3)和次栅线(4)，硅片的背面印有背电极(5)，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1-2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7-1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10 — 15nm，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65— 75nm，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侦牝且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形，所述背电极为条形，有三根，每根背电极分为三段，每段长为 20—23.2nun。【专利摘要】本技术提供一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的正面镀有反折射膜，反折射膜上面印主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述背电极为条形，有三根，每根背电极分为三段，每段长为20—23.2mm，本技术具有制造成本低，转换效率高等特点。【IPC分类】H01L31-0216, H01L31-0224【公开号】CN204348727【申请号】CN201520091202【专利技术人】叶挺宁 【申请人】江西金泰新能源有限公司【公开日】2015年5月20日【申请日】2015年2月10日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片（1），硅片的正面镀有反折射膜（2），反折射膜上面印主栅线（3）和次栅线（4），硅片的背面印有背电极（5），其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10—15nm ，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65—75nm，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形，所述背电极为条形，有三根，每根背电极分为三段，每段长为20—23.2mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶挺宁，
申请(专利权)人：江西金泰新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36