本实用新型专利技术提供一种改进型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的正面镀有反折射膜，反折射膜上面印主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述背电极为一种由若干银珠均匀分布构成设定长度和宽度的银带，所述银珠为圆柱形。本实用新型专利技术具有制造成本低，转换效率高等特点。
【技术实现步骤摘要】
本实用改进型涉及太阳一种多晶硅太阳能电池片。
技术介绍
太阳能电池片是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的器件，是一种新型电源，具有永久性、清洁性和灵活性三大特点。但现有的太阳能电池片存在转换效率低、生产成本高等不足。
技术实现思路
本实用改进型的目的就是针对上述情况提供一种转换效率高的多晶硅太阳能电池片。本实用型的目的可通过以下方案来实现:一种改进型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的正面镀有反折射膜，反折射膜上面印主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1-2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7-1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10—15nm，所述第二层氮化娃减反射膜的厚度为65—75nm，通过这两层反折射膜的设计大大提高了光电转换效率，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。这种主栅线和次栅线的结构设计，即可以节省印刷浆料，降低生产成本，也可以减少遮光面积，提升转换效率，所述背电极为一种由若干银珠均匀分布构成设定长度和宽度的银带，所述银珠为圆柱形，相邻银珠之间保持设定的间距，所述背电极长度为12.5mm,宽度为2.8_，构成背电极的银珠直径为0.25_，横向和纵向的任何相邻的两个银珠的间距为0.35mm。采用圆柱形银珠密集排布的结构，既考虑到背电极与背场的接触，又在一定程度上减少了背电极的面积，减少了银浆的用量，相对地增加了铝背场的面积，从而了减少了电流复合，增大了开路电压和短路电流，最终达到提高电池片的效率的目的。本技术具有制造成本低，转换效率高等特点。【附图说明】图1，本技术结构示意图。图2，本技术正面结构示意图。图3，背电极结构示意图。【具体实施方式】对照图1、图2、图3可知，一种改进型多晶硅太阳能电池片，包括硅片I，硅片的正面镀有反折射膜2，反折射膜上面印主栅线3和次栅线4，硅片的背面印有背电极5，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1-2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7-1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10—15nm，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65— 75nm，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形，所述背电极为一种由若干银珠6均匀分布构成设定长度和宽度的银带，所述银珠为圆柱形，相邻银珠之间保持设定的间距，所述背电极长度为12.5mm,宽度为2.8_，构成背电极的银珠直径为0.25_，横向和纵向的任何相邻的两个银珠的间距为0.35mm。【主权项】1.一种改进型多晶硅太阳能电池片，包括硅片(1)，硅片的正面镀有反折射膜(2)，反折射膜上面印主栅线(3)和次栅线(4)，硅片的背面印有背电极(5)，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1-2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7-1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10 — 15nm，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65— 75nm，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形，所述背电极为一种由若干银珠(6)均匀分布构成设定长度和宽度的银带，所述银珠为圆柱形，相邻银珠之间保持设定的间距，所述背电极长度为12.5mm,宽度为2.8_，构成背电极的银珠直径为0.25_，横向和纵向的任何相邻的两个银珠的间距为0.35mm0【专利摘要】本技术提供一种改进型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的正面镀有反折射膜，反折射膜上面印主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述背电极为一种由若干银珠均匀分布构成设定长度和宽度的银带，所述银珠为圆柱形。本技术具有制造成本低，转换效率高等特点。【IPC分类】H01L31-0216, H01L31-042, H01L31-0224【公开号】CN204348733【申请号】CN201520091150【专利技术人】叶挺宁 【申请人】江西金泰新能源有限公司【公开日】2015年5月20日【申请日】2015年2月10日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种改进型多晶硅太阳能电池片，包括硅片（1），硅片的正面镀有反折射膜（2），反折射膜上面印主栅线（3）和次栅线（4），硅片的背面印有背电极（5），其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜，所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面，所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面，所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10—15nm ，所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65—75nm，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形，所述背电极为一种由若干银珠（6）均匀分布构成设定长度和宽度的银带，所述银珠为圆柱形，相邻银珠之间保持设定的间距，所述背电极长度为12.5mm，宽度为2.8mm，构成背电极的银珠直径为0.25mm，横向和纵向的任何相邻的两个银珠的间距为0.35mm。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶挺宁，
申请(专利权)人：江西金泰新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。