本实用新型专利技术提供一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的表面设有反折射膜，反折射膜的上面印有主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成，所述背电极具有十五段，且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布，每段背电极皆是竖条状，且每段背电极的边缘连接有若干框线，本实用新型专利技术具有浆料耗量少，光电转换效率高等特点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池片。
技术介绍
太阳能电池片是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的器件，是一种新型电源，具有永久性、清洁性和灵活性三大特点。但现有的太阳能电池片存在转换效率低、生产成本高等不足。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述情况提供一种印刷浆料用量少，光电转换效率高的多晶硅太阳能电池片。本技术的目的可通过以下方案来实现:一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的表面设有反折射膜，反折射膜的上面印有主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘的距离均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成，所述氮化硅薄膜钝化层位于二氧化钛薄膜和硅片之间，所述氮化硅薄膜钝化层厚度为42— 45nm，折射率为2.02—2.12，所述二氧化钛薄膜厚度为42— 45nm，折射率为2.15—2.25，由于二氧化钛薄膜主要起减反射作用，减少太阳能电池对光的反射，提高太阳能的光电转换效率；氮化硅薄膜钝化层主要起钝化作用，减少电池的表面复合，改善电池性能；所述背电极具有十五段，且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布，一列背电极位于硅片背面中间，其余两列背电极各自距离中间一列背电极52mm，每段背电极皆是竖条状，且每段背电极的边缘连接有若干框线，所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边，所述背电极是长为18mm且宽为2.3mm的矩形竖条状，且同列背电极之间的间隔为12mm，每列背电极中位于首尾两端的背电极与硅片边缘的间隔各自为9_，这种结构和背电极能减少浆料的使用，降低制造成本。本技术具有浆料耗量少，光电转换效率高等特点。【附图说明】图1，本技术结构示意图。图2，本技术正面结构示意图。图3，背电极结构示意图。图4，每段背电极与框线结构示意图。【具体实施方式】对照图1、图2、图3、图4可知，一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片1，硅片的表面设有反折射膜2，反折射膜的上面印有主栅线3和次栅线4，硅片的背面印有背电极5，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40.，每根次栅线的两端距离硅片的边缘的距离均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成，所述氮化硅薄膜钝化层位于二氧化钛薄膜和硅片之间，所述氮化硅薄膜钝化层厚度为42— 45nm，折射率为2.02—2.12，所述二氧化钛薄膜厚度为42— 45nm，折射率为2.15-2.25，所述背电极具有十五段，且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布，一列背电极位于硅片背面中间，其余两列背电极各自距离中间一列背电极52_，每段背电极皆是竖条状，且每段背电极的边缘连接有若干框线6，所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边，所述背电极是长为18mm且宽为2.3mm的矩形竖条状，且同列背电极之间的间隔为12mm，每列背电极中位于首尾两端的背电极与硅片边缘的间隔各自为9mm。【主权项】1.一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片(1)，硅片的表面设有反折射膜(2)，反折射膜的上面印有主栅线(3)和次栅线(4)，硅片的背面印有背电极(5)，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40.，每根次栅线的两端距离硅片的边缘的距离均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形；所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成，所述氮化硅薄膜钝化层位于二氧化钛薄膜和硅片之间，所述氮化硅薄膜钝化层厚度为42— 45nm，折射率为2.02-2.12，所述二氧化钛薄膜厚度为42— 45nm，折射率为2.15-2.25，所述背电极具有十五段，且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布，一列背电极位于硅片背面中间，其余两列背电极各自距离中间一列背电极52mm，每段背电极皆是竖条状，且每段背电极的边缘连接有若干框线(6)，所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边，所述背电极是长为18mm且宽为2.3mm的矩形竖条状，且同列背电极之间的间隔为12mm，每列背电极中位于首尾两端的背电极与硅片边缘的间隔各自为9mm ο【专利摘要】本技术提供一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片，硅片的表面设有反折射膜，反折射膜的上面印有主栅线和次栅线，硅片的背面印有背电极，所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形。所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成，所述背电极具有十五段，且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布，每段背电极皆是竖条状，且每段背电极的边缘连接有若干框线，本技术具有浆料耗量少，光电转换效率高等特点。【IPC分类】H01L31-0216, H01L31-042, H01L31-0224【公开号】CN204348730【申请号】CN201520091123【专利技术人】叶挺宁 【申请人】江西金泰新能源有限公司【公开日】2015年5月20日【申请日】2015年2月10日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型多晶硅太阳能电池片，包括硅片（1），硅片的表面设有反折射膜（2），反折射膜的上面印有主栅线（3）和次栅线（4），硅片的背面印有背电极（5），所述主栅线和次栅线呈相互垂直状，所述主栅线具有三根，其中一根设置在所述硅片的对称线上，另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧，且各相距52mm，所述次栅线为等距离分布，所述三根主栅线的线宽均为1.4mm，每根次栅线的线宽为40um，每根次栅线的两端距离硅片的边缘的距离均为1.5mm，所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小，呈等腰三角形；所述反折射膜是由二氧化钛薄膜和氮化硅薄膜钝化层组成，所述氮化硅薄膜钝化层位于二氧化钛薄膜和硅片之间，所述氮化硅薄膜钝化层厚度为 42—45nm，折射率为2.02—2.12，所述二氧化钛薄膜厚度为42—45nm，折射率为2.15—2.25，所述背电极具有十五段，且十五段背电极呈五行三列矩阵状排布，一列背电极位于硅片背面中间，其余两列背电极各自距离中间一列背电极52mm，每段背电极皆是竖条状，且每段背电极的边缘连接有若干框线（6），所述框线呈间隔状均匀布满背电极周边，所述背电极是长为18mm且宽为2.3mm的矩形竖条状，且同列背电极之间的间隔为12mm，每列背电极中位于首尾两端的背电极与硅片边缘的间隔各自为9mm。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶挺宁，
申请(专利权)人：江西金泰新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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