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本发明提供了一种使用化学气相沉积(CVD)反应器用于制造多晶硅的装置。所述用于制造多晶硅的装置包括：反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接；至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端...
该专利属于韩化石油化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过韩化石油化学株式会社授权不得商用。

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