【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制程，尤其涉及一种。
技术介绍
随着科技的进步，电子元件的制造必须提高积集度，以符合电子元件轻、薄、短、小的趋势。提高积集度的方法，除了缩小半导体元件本身的尺寸之外，也可经由减小半导体元件之间的距离来达成。然而，不论是缩小半导体元件其本身的尺寸，或是缩小半导体元件间的距离，都会发生一些制程上的问题。以制作半导体元件中的导体图案为例，现有技术是先形成一整层的导体层，再在导体层上形成光阻层，而后藉由对光阻层进行微影制程与蚀刻制程，以形成图案化光阻层。然后，以图案化光阻层作为掩模来图案化导体层，而完成导体图案的制作。当半导体尺寸愈来愈小，导体图案尺寸亦会相对地缩小，而使得导体图案的高宽比(aspect ratio)会愈来愈大，如此将使得导体图案的制作更加困难。此外，以微影蚀刻方式来形成导体图案具有步骤繁复的缺点，使得半导体元件的制程效率难以提升。
技术实现思路
本专利技术提供一种，具有简化的制程步骤。本专利技术提供一种。在底层上形成种层。以能量射线对种层的部分表面进行照射处理，使得种层包括多个经照射区域与多个未经照射区域。对种层的经照射区域进行转化...
【技术保护点】
一种导体图案的形成方法，其特征在于包括：在底层上形成种层；以能量射线对所述种层的部分表面进行照射处理，使得所述种层包括多个经照射区域与多个未经照射区域；对所述种层的所述经照射区域进行转化处理；进行选择性成长制程，在所述种层的各个所述未经照射区域上生长导体图案；以及移除所述种层的所述经照射区域，使所述导体图案彼此电性绝缘。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏国辉，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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