形成图案的方法、形成磁存储器件的方法及离子束设备技术

本公开提供了形成图案的方法、形成磁存储器件的方法及离子束设备。一种图案形成方法包括以第一入射角提供第一离子束以及以第二入射角提供第二离子束到形成于基板上的蚀刻目标层的表面。图案通过采用第一离子束和第二离子束图案化蚀刻目标层而形成。第一离子束和第二离子束相对于垂直于基板的顶表面的法线彼此实质上对称。第一入射角和第二入射角的每个大于0度并小于通过从90度减去预定角度获得的角度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的示例实施例涉及采用双向对称的离子束形成图案的方法、采用该形成图案的方法形成磁存储器件的方法、以及产生双向对称的离子束的离子束设备。
技术介绍
磁存储器件正在被发展为满足对于高速度和低功耗的存储器件的产业需求的半导体存储器件。因为其高速度性能和非易失性特性，磁存储器件是下一代的半导体存储器件。通常，磁存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)图案。MTJ图案可以包括两个磁层和插设在该两个磁层之间的绝缘层。MTJ图案的阻值可以根据这两个磁层的磁化方向而改变。例如，如果这两个磁层的磁化方向彼此反平行，则MTJ图案可以具有相对高的阻值。如果这两个磁层的磁化方向彼此平行，则MTJ图案可以具有相对低的阻值。数据值可以利用所述阻值之间的差异在MTJ图案中表示。电子产业越来越要求更高集成和更低功耗的磁存储器件。因此，对满足这些需求的各种方法正在进行研究。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例提供一种能够容易控制图案的侧壁轮廓的形成图案的方法。...

【技术保护点】
一种在形成于基板上的蚀刻目标层中形成图案的方法，该方法包括：以第一入射角辐射第一离子束到所述蚀刻目标层的表面以及以第二入射角辐射第二离子束到所述蚀刻目标层的所述表面；以及通过采用所述第一离子束和所述第二离子束图案化所述蚀刻目标层而形成图案，其中所述第一离子束和所述第二离子束相对于实质上垂直于所述基板的顶表面的法线彼此实质上对称，其中相对于所述法线测量的所述第一入射角和所述第二入射角的每个大于0度并小于通过从90度减掉第一角(α)的大小获得的角度，并且其中所述第一角(α)的大小由方程α＝arctan(B/A)限定，其中“A”表示相邻的图案之间的距离，“B”表示所述图案的高度。

【技术特征摘要】
2014.11.25 KR 10-2014-01653491.一种在形成于基板上的蚀刻目标层中形成图案的方法，该方法包括：
以第一入射角辐射第一离子束到所述蚀刻目标层的表面以及以第二入
射角辐射第二离子束到所述蚀刻目标层的所述表面；以及
通过采用所述第一离子束和所述第二离子束图案化所述蚀刻目标层而
形成图案，
其中所述第一离子束和所述第二离子束相对于实质上垂直于所述基板
的顶表面的法线彼此实质上对称，
其中相对于所述法线测量的所述第一入射角和所述第二入射角的每个
大于0度并小于通过从90度减掉第一角(α)的大小获得的角度，并且
其中所述第一角(α)的大小由方程α＝arctan(B/A)限定，
其中“A”表示相邻的图案之间的距离，“B”表示所述图案的高度。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一离子束和所述第二离子束实
质上同时地辐射到所述蚀刻目标层的所述表面的一个区域，并且
其中所述一个区域是范围对应于相邻的所述图案之间的距离的区域。
3.如权利要求2所述的方法，其中每个所述图案具有彼此相反布置的第
一侧壁和第二侧壁，
其中一对相邻的图案中的一个图案的所述第一侧壁面对所述一对相邻
的图案中的另一个图案的所述第二侧壁，
其中所述蚀刻目标层由所述第一离子束蚀刻以形成所述第一侧壁，并且
其中所述蚀刻目标层由所述第二离子束蚀刻以形成所述第二侧壁。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述第一入射角的大小实质上等于所
述第二入射角的大小。
5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述图案包括：采用所述第一离
子束和所述第二离子束蚀刻所述蚀刻目标层以在所述蚀刻目标层中形成沟
槽，并且
其中所述第一入射角和所述第二入射角的每个大于第二角，在所述第二
角，所述沟槽的底表面处的蚀刻速率是所述沟槽的侧表面处的蚀刻速率的两
倍。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻目标层包括至少一个磁层。
7.一种形成磁存储器件的方法，该方法包括：
以第一入射角提供第一离子束且以第二入射角提供第二离子束到形成
于基板上的磁隧道结层的表面；以及
通过采用所述第一离子束和所述第二离子束图案化所述磁隧道结层而
形成磁隧道结图案，
其中所述第一离子束和所述第二离子束相对于垂直于所述基板的顶表
面的法线实质上对称地布置，
其中相对于所述法线测量的所述第一入射角和所述第二入射角的每个
大于0度并小于通过从90度减去第一角(α)的大小获得的角度，并且
其中所述第一角(α)的大小由方程α＝arctan(B/A)限定，
其中“α”表示所述第一角，“A”表示相邻的磁隧道结图案之间的距离，“B”
表示所述磁隧道结图案的高度。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一离子束和所述第二离子束被
实质上同时提供到所述磁隧道结层的所述表面的一个区域，并且
其中所述一个区域是范围对应于相邻的磁隧道结图案之间的距离的区
域。
9.如权利要求8所述的方法，其中每个所述磁隧道结图案具有彼此相反
布置的第一侧壁和第二侧壁，
其中一对相邻的磁隧道结图案中的一个磁隧道结图案的所述第一侧壁
面对所述一对相邻的磁隧道结图案中的另一个磁隧道结图案的所述第二侧
壁，
其中所述磁隧道结层由所述第一离子束蚀刻以形成所述第一侧壁，并且
其中所述磁隧道结层由所述第二离子束蚀刻以形成所述第二侧壁。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述第一入射角实质上等于所述第
二入射角。
11.如权利要求7所述的方法，其中形成所述磁隧道结图案包括：采用
所述第一离子束和所述第二离子束蚀刻所述磁隧道结层以在所述磁隧道结
层中形成沟槽，并且
其中所述第一入射角和所述第二入射角的每个大于第二角，在蚀刻期间
在所述第二角，所述沟槽的底表面处的蚀刻速率是所述沟槽的侧壁处蚀刻速
率的两倍。
12.一种离子束设备，包括：
工作台，其上能够装载基板；
离子源部分，提供在所述工作台上方并能够产生离子束；以及
离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟撤，权亨峻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR