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本公开提供了形成图案的方法、形成磁存储器件的方法及离子束设备。一种图案形成方法包括以第一入射角提供第一离子束以及以第二入射角提供第二离子束到形成于基板上的蚀刻目标层的表面。图案通过采用第一离子束和第二离子束图案化蚀刻目标层而形成。第一离子束...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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