【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅片加工工艺
，尤其是涉及一种利用位错缺陷显 示确认抛光外延片主参考面位置的方法。
技术介绍
在微电子领域的硅片加工和器件生产过程中，参考面起到识别和定位 的作用，它是硅片划分芯片的基准面，因此，参考面是硅片标准化的重要 内容之一。器件生产首先是要在硅片表面上制造出若干个分离管芯或电路， 然后采用划片分割的方式把管芯或电路分割成独立单元，再把这些独立单 元装上支架，压上引线、封装在管壳内而制成器件。由于硅晶体具有各向 异性特点，因此划片时应选择最佳的划片分割方法，否则将会导致管芯成 品率降低。参考面选择的原则之一是和晶体的解理面相一致的。常匸的(111)和(100)晶向的晶体制备就是根据上述的原则确定的。现有技术中，通常对正方形或矩形管芯的划片分割是按预先硅片制备的参考面方向进行的。存在的问题是传统工艺流程靠目测单晶主棱线，找出单晶的几 条主棱，再依据晶向的不同来画出主参考面位置， 一旦主棱判别出现偏差， 将会导致单晶棒参考面的制作错误。在此情况下，人们一直在寻找单晶棒 切割加工成硅片后对画出的主参考面进行正确性判定的手段，而实际上至 今还没有找到好的手段和方法来检测和判定单晶硅片的主参考面是否正 确，以避免硅片后续加工中继续出现错误，造成不必要的损失。晶向(111)的抛光外延片一般都有4度的偏晶向，如果偏离度错误， 则对外延生长不利，而且还会引起图形畸变。所以硅片加工中一定要保证 各种电路对晶片晶向的要求，而偏晶向切割与主参考面正确与否有直接的 关系。
技术实现思路
为解决现有技术存在的上述技术问题，本专利技术旨在提供，用该方法判定硅片...
【技术保护点】
一种确认抛光外延片主参考面位置的方法，其特征在于：先取一抛光外延片，用Ｓｉｒｔｌ腐蚀液腐蚀２分钟，腐蚀液的重量配比为ＣｒＯ↓［３］∶Ｈ↓［２］Ｏ＝１∶２（标准溶液），ＨＦ（４０％）∶（标准溶液）＝１∶１（体积比）；将腐蚀后的抛光外延片主参考面朝外放在显微镜下观察，如果位错缺陷三角形的尖角朝左时，则可判定该抛光外延片的主参考面正确；如果位错缺陷三角形的尖角朝右时，则可判定该抛光外延片的主参考面错误。
【技术特征摘要】
1、一种确认抛光外延片主参考面位置的方法，其特征在于先取一抛光外延片，用Sirtl腐蚀液腐蚀2分钟，腐蚀液的重量配比为CrO3∶H2O＝1∶2(标准溶液)，HF(40％)∶(标准溶液)＝1∶1(...
【专利技术属性】
技术研发人员：楼春兰，董尧德，朱兴萍，
申请(专利权)人：万向硅峰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]
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