【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于根据权利要求I的前序的在衬底上制造半导体部件的方法，并且涉及包括半导体部件的衬底。
技术介绍
现有技术在半导体制造中，已公知借助于光刻工艺在晶片表面上制造结构。举例来说，借助于光刻步进器或者扫描器将结构投射到光敏层上。借助于基于如氧化硅或者氧氮化硅的介质的表面上的多晶硅层的构图的光刻工艺，沿着其它结构规则地制造 如集成电路的晶体管栅极的栅极区域。线条结构的最小可获得尺寸和等价地在相邻的线条结构之间的最小可获得距离受光刻系统的限制。一个限制因素是，例如在将被构图的衬底的表面上投射结构期间的光源的光照的主要波长。另外，机械容差和光路的孔径都是限制因素。对于已有光刻系统，可获得的最小特征尺寸是表示为临界尺寸的固定参数。临界间隙尺寸通常约为临界线条尺寸的量级。通常根据这些参数确切地规定半导体工艺，例如200nm技术节点或者90nm技术节点。向具有更小临界尺寸的技术的过渡非常昂贵，究其原因是在已有技术中获得最小可能尺寸的尝试。对于例如晶体管的性能，获得尽可能小的栅极沟道长度是有利的。具有更小的栅极沟道长度，有可能减少必要的电源电压，作为其结果，功率消耗降...
【技术保护点】
一种包括光刻构图步骤的用于在衬底（100）上制造半导体部件的方法，在所述方法中，在所述衬底（100）上，施加要构图的第一层（200）并且施加作为要构图的所述第一层的掩模层的第二层（300），其中施加作为所述第二层的掩模的第三层（401），并且其中对所述第二层依次进行至少两个光刻构图工艺，其中在一个所述构图工艺期间，在制造由用于为在所述第三层（401）处的构图工艺提供掩模层的光敏层（402）构成的结构之后，在所述第三层的构图边缘处形成正倾角α，作为结果，给定所述第三层的厚度h，保持开放的结构（420）的尺寸减小D=2＊h/tanα的值，以及其中，在另一个所述构图工艺期间，在制...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·德科伊，M·安内塞，M·波普，
申请(专利权)人：埃斯普罗光电股份公司，
类型：发明
国别省市：
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