用于光子检测的半导体结构制造技术

本发明专利技术涉及用于光子检测的半导体结构。本发明专利技术提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧，其中接触区至少部分地与偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造，所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种根据权利要求I的前序部分的用于光子检测的半导体结构。
技术介绍
现有技术中，例如根据美国专利US5，786，609A，公开了一种半导体检测器，其具有单极结构和实现为在底侧处的层的“返回电极”，该电极被设计为从耗尽区提取导电载流子。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供能够节约生产成本的用于光子检测的半导体结构。从在介绍中提到的半导体结构的类型出发，借由权利要求I的特征技术达到这个目的。根据从属权利要求中提到的方法，可以得到本专利技术的有益的开发和实施例。因此，根据本专利技术的用于光子检测的半导体结构，包括由具有第一掺杂的半导体材料形成的衬底、设置在该衬底的前侧的接触区、由具有第二掺杂的半导体材料形成的偏置层，该偏置层设置在距离该接触区一距离的该半导体衬底的背侧上，其中该接触区至少部分地与该偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区，保护环，其设置在该衬底的前侧上并围绕该接触区，其中在该接触区和该保护环之间可以施加反向电压，其特征在于该重叠区域具有至少达到该接触区和该偏置层之间距离的四分之一的横向范围。保护环是一种保护性结构，通过施加到其的电势，可以将接触区与其周围或其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202，302，402，502)，由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203，303，403，503)，设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的所述衬底的背侧上，其中所述接触区至少部分地与所述偏置层相对，以便在横向方向上存在重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在所述接触区和所述保护环之间施加反向电压，其中所述重叠区域具有至少达到所述接触区和所述偏置层之间距离的四分之一的横向范围。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·波普，B·德科伊，M·安尼斯，
申请(专利权)人：埃斯普罗光电股份公司，
类型：发明
国别省市：