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本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，10...
该专利属于埃斯普罗光电股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过埃斯普罗光电股份公司授权不得商用。

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