The invention discloses a processing method of back gettering ability of 300mm heavily doped silicon wafer, the method at least comprises the following steps: (1) section; (2) (3) double chamfer; grinding; (4) a single chemical or single grinding, remove the front surface of the silicon wafer damage; (5) edge polishing double sided polishing;; (6) (7) is deposited on the silicon wafer front and back edge of polysilicon; (8) two (9) positive polishing; polycrystalline material removal; (10) the final polishing; (11) cleaning detection. In combination with the manufacturing process of 300mm silicon wafer, the invention provides a new method for processing silicon wafer, which achieves the purpose of external gettering by introducing the grinding process into the back surface damage and the back surface thin layer polycrystal deposition. The 300mm silicon wafer processed by the method not only meets the requirements of the double-sided polishing, but also can obtain a controllable back damage layer, thus avoiding the influence of the back polycrystalline deposition on the warpage of silicon wafer when the thickness is relatively thick.
【技术实现步骤摘要】
一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法
本专利技术涉及一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法,属于硅片加工制造
技术介绍
随着集成电路技术的飞速发展,300mm硅片已经取代200mm硅片成为集成电路加工的主流硅衬底。目前市场上主流的300mm硅片为轻掺P型片,但是市场上对300mm重掺硅片的需求也逐渐增加。在功率器件制造中,当前的主流衬底已经从6吋重掺硅片转移到8吋重掺杂硅片。但是随着成本降低的要求,衬底类型必然会向12吋转移。重掺杂硅片由于掺杂浓度过高,因此在热过程中形成的内吸杂效果相对较弱,内吸杂无法满足器件制程中金属沾污的控制。特别是在一些高温热循环较多的制程,金属沾污非常容易扩散到器件工作区内导致器件失效。为了提高器件制造良率,提升器件使用寿命,6、8吋功率器件使用的重掺杂衬底需要在硅片背面引入外吸杂结构满足吸杂要求。所谓外吸杂就是通过背面损伤杂或者多晶沉积,在热处理后引入二次缺陷而达到吸杂的目的。引入外吸杂的方法主要有背面喷砂工艺、多晶硅沉积工艺,以及有磷扩散、离子注入和激光照射等。当前业界主要使用的外吸杂工艺是硅片背面损伤和多晶硅沉积。硅片背损伤吸杂是在抛光加工前,对硅片背面喷射高速石英砂(或者Al2O3砂),达到对硅片背面晶格损伤的目的。背损伤的深度和晶格损伤程度和石英砂粒径以及喷速有关。多晶硅吸杂是在硅片背面沉积多晶硅,利用多晶硅对金属吸杂。当重掺杂硅片在300mm加工时会面临两个矛盾:双面抛光和背损伤的矛盾、硅片翘曲度和多晶沉积的矛盾。300mm硅片的加工都需要双面抛光,通过双面抛光,硅片背面的颗粒数量被有效 ...
【技术保护点】
一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:(1)切片;(2)倒角;(3)双面磨削;(4)单面化学腐蚀或单面磨削,去除硅片正面损伤层;(5)边缘抛光;(6)双面抛光;(7)在硅片正面和背面都沉积多晶硅;(8)边缘二次抛光;(9)正面多晶抛光去除;(10)最终抛光;(11)硅片清洗检测。
【技术特征摘要】
1.一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:(1)切片;(2)倒角;(3)双面磨削;(4)单面化学腐蚀或单面磨削,去除硅片正面损伤层;(5)边缘抛光;(6)双面抛光;(7)在硅片正面和背面都沉积多晶硅;(8)边缘二次抛光;(9)正面多晶抛光去除;(10)最终抛光;(11)硅片清洗检测。2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述步骤(3)双面磨削时硅片单面去除量为10-30μm。3.根据权利要求1或2所述的加工方法,其特征在于,所述步骤(3)双面...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯泉林,赵而敬,李宗峰,程凤伶,盛方毓,王永涛,闫志瑞,
申请(专利权)人:有研半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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