一种设置有掺硅GaN层的发光二极管外延片制造技术

本发明专利技术公开了一种设置有掺硅GaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer-缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N-SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述N型GaN层（3）包括80个由掺硅GaN层（31）、GaN层（32）构成的层单元（33）叠加构成，本发明专利技术有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种设置有掺硅GaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述N型GaN层（3）包括80个由掺硅GaN层（31）、GaN层（32）构成的层单元（33）叠加构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：芦玲，张向飞，钱仁海，刘坚，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：