OLED封装方法与OLED封装结构技术

本发明专利技术提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明专利技术的OLED封装方法，通过在OLED的封装结构中同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层，利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果，利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果，不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命，而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。本发明专利技术的OLED封装结构，通过同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层，利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果，利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果，不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命，而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。

OLED packaging method and OLED packaging structure

The invention provides a OLED packaging method and a OLED packaging structure. OLED encapsulation method of this invention, the OLED of the package are simultaneously arranged in silicon doped diamond-like carbon layer and diamond scattering layer, using silicon doped diamond-like carbon layer to isolate the outside water oxygen effect, using diamond scattering layer to improve the light transmittance of the effect, can not only improve the lifetime of OLED devices significantly, but also can ensure the light output efficiency of OLED device has high. The OLED package structure of the invention, by setting both silicon doped diamond-like carbon layer and diamond scattering layer, using silicon doped diamond-like carbon layer to isolate the outside water oxygen effect, using diamond scattering layer to improve the light transmittance of the effect, not only can greatly improve the lifetime of OLED devices, but also can ensure the light output device with high efficiency OLED.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。OLED器件通常对水分非常敏感，一旦暴露在湿气中，其阴极可以被氧化，有机层(空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层)可以被降解，从而降低OLED器件的亮度和使用寿命。因此，OLED器件的封装材料通常需要较强的阻隔外界水氧的能力，以有效提高OLED器件的亮度和使用寿命。类金刚石(Diamond-LikeCarbon，DLC)是一种具有较好的阻隔水氧特性的材料，在OLED的封装领域具有良好的应用前景。早在2005年，Abbas就在ThinSolidFilms482(2005)201–206发表的文章中对类金刚石的水汽透过率(WVTR)、折射率、光透过率进行了系统的研究，结果显示，类金刚石的水汽透过率随厚度的增加而减小，当类金刚石的厚度为70nm左右时，其水汽透过率不再会有明显的降低。另外一方面，在类金刚石中引入少量硅(Si)元素时可以提高其阻隔水氧的能力，但是却会降低其密度、透过率和折射率。因此，如何有效的解决类金刚石的阻隔外界水氧能力与其密度、透过率、折射率之间的矛盾，直接关系到类金刚石的现实应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED封装方法，不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命，而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。本专利技术的目的还在于提供一种OLED封装结构，不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命，而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。为实现上述目的，本专利技术提供一种OLED封装方法，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED器件，在所述OLED器件上形成第一阻隔层，所述第一阻隔层整面覆盖所述OLED器件；步骤2、在所述第一阻隔层上形成第一硅掺杂类金刚石层，所述第一硅掺杂类金刚石层整面覆盖所述第一阻隔层；步骤3、在所述第一硅掺杂类金刚石层上形成类金刚石散射层；步骤4、在所述第一硅掺杂类金刚石层及类金刚石散射层上形成第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层及类金刚石散射层；步骤5、在所述第一有机缓冲层上形成第二阻隔层，所述第二阻隔层整面覆盖所述第一有机缓冲层。所述步骤2中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成第一硅掺杂类金刚石层；所述第一硅掺杂类金刚石层的材料为掺杂硅元素的类金刚石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅掺杂类金刚石层的光线透过率大于或者等于95％；所述第一硅掺杂类金刚石层的厚度为10nm-100nm。所述步骤3中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成类金刚石散射层；所述类金刚石散射层的材料为未掺杂的类金刚石；所述类金刚石散射层包括间隔设置的多个条形类金刚石膜层，或者包括呈阵列排布的多个圆形类金刚石膜层；所述类金刚石散射层的厚度为10nm-1μm。所述步骤1中，采用等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、或者溅射的方式形成第一阻隔层；所述第一阻隔层的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、及二氧化钛中的一种或多种；所述第一阻隔层的厚度为0.5μm-1μm；所述步骤4中，利用喷墨打印、等离子体增强化学气相沉积、或者狭缝涂布的方式形成第一有机缓冲层；所述第一有机缓冲层的材料包括亚克力树脂、聚苯乙烯类化合物、及聚酯类化合物中的一种或多种；所述第一有机缓冲层的厚度为1μm-10μm。可选的，本专利技术的OLED封装方法还包括：步骤6、在第二阻隔层上形成整面覆盖所述第二阻隔层的第二硅掺杂类金刚石层，在第二硅掺杂类金刚石层上形成整面覆盖所述第二硅掺杂类金刚石层的第二有机缓冲层，在第二有机缓冲层上形成整面覆盖所述第二有机缓冲层的第三阻隔层。本专利技术还提供一种OLED封装结构，包括OLED器件、设于OLED器件上且整面覆盖所述OLED器件的第一阻隔层、设于第一阻隔层上且整面覆盖所述第一阻隔层的第一硅掺杂类金刚石层、设于第一硅掺杂类金刚石层上的类金刚石散射层、设于第一硅掺杂类金刚石层及类金刚石散射层上且整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层及类金刚石散射层的第一有机缓冲层、设于第一有机缓冲层上且整面覆盖所述第一有机缓冲层的第二阻隔层。所述第一硅掺杂类金刚石层的材料为掺杂硅元素的类金刚石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅掺杂类金刚石层的光线透过率大于或者等于95％；所述第一硅掺杂类金刚石层的厚度为10nm-100nm。所述类金刚石散射层的材料为未掺杂的类金刚石；所述类金刚石散射层包括间隔设置的多个条形类金刚石膜层，或者包括呈阵列排布的多个圆形类金刚石膜层；所述类金刚石散射层的厚度为10nm-1μm。所述第一阻隔层的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、及二氧化钛中的一种或多种；所述第一阻隔层的厚度为0.5μm-1μm；所述第一有机缓冲层的材料包括亚克力树脂、聚苯乙烯类化合物、及聚酯类化合物中的一种或多种；所述第一有机缓冲层的厚度为1μm-10μm。可选的，本专利技术的OLED封装结构还包括：设于第二阻隔层上且整面覆盖所述第二阻隔层的第二硅掺杂类金刚石层、设于第二硅掺杂类金刚石层上且整面覆盖所述第二硅掺杂类金刚石层的第二有机缓冲层、设于第二有机缓冲层上且整面覆盖所述第二有机缓冲层的第三阻隔层。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种OLED封装方法，通过在OLED的封装结构中同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层，利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果，利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果，不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命，而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。本专利技术提供的一种OLED封装结构，通过同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一阻隔层(20)，所述第一阻隔层(20)整面覆盖所述OLED器件(10)；步骤2、在所述第一阻隔层(20)上形成第一硅掺杂类金刚石层(30)，所述第一硅掺杂类金刚石层(30)整面覆盖所述第一阻隔层(20)；步骤3、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)上形成类金刚石散射层(40)；步骤4、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)上形成第一有机缓冲层(50)，所述第一有机缓冲层(50)整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)；步骤5、在所述第一有机缓冲层(50)上形成第二阻隔层(60)，所述第二阻隔层(60)整面覆盖所述第一有机缓冲层(50)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一阻隔层(20)，所述第一阻隔层(20)整面覆盖所述OLED器件(10)；步骤2、在所述第一阻隔层(20)上形成第一硅掺杂类金刚石层(30)，所述第一硅掺杂类金刚石层(30)整面覆盖所述第一阻隔层(20)；步骤3、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)上形成类金刚石散射层(40)；步骤4、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)上形成第一有机缓冲层(50)，所述第一有机缓冲层(50)整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)；步骤5、在所述第一有机缓冲层(50)上形成第二阻隔层(60)，所述第二阻隔层(60)整面覆盖所述第一有机缓冲层(50)。2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤2中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成第一硅掺杂类金刚石层(30)；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的材料为掺杂硅元素的类金刚石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的光线透过率大于或者等于95％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的厚度为10nm-100nm。3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤3中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成类金刚石散射层(40)；所述类金刚石散射层(40)的材料为未掺杂的类金刚石；所述类金刚石散射层(40)包括间隔设置的多个条形类金刚石膜层(41)，或者包括呈阵列排布的多个圆形类金刚石膜层(42)；所述类金刚石散射层(40)的厚度为10nm-1μm。4.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤1中，采用等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、或者溅射的方式形成第一阻隔层(20)；所述第一阻隔层(20)的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、及二氧化钛中的一种或多种；所述第一阻隔层(20)的厚度为0.5μm-1μm；所述步骤4中，利用喷墨打印、等离子体增强化学气相沉积、或者狭缝涂布的方式形成第一有机缓冲层(50)；所述第一有机缓冲层(50)的材料包括亚克力树脂、聚苯乙烯类化合物、及聚酯类化合物中的一种或多种；所述第一有机缓冲层(50)的厚度为1μm-10μm。5.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：金江江，徐湘伦，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42