The invention provides a OLED packaging method and a OLED packaging structure. OLED encapsulation method of this invention, the OLED of the package are simultaneously arranged in silicon doped diamond-like carbon layer and diamond scattering layer, using silicon doped diamond-like carbon layer to isolate the outside water oxygen effect, using diamond scattering layer to improve the light transmittance of the effect, can not only improve the lifetime of OLED devices significantly, but also can ensure the light output efficiency of OLED device has high. The OLED package structure of the invention, by setting both silicon doped diamond-like carbon layer and diamond scattering layer, using silicon doped diamond-like carbon layer to isolate the outside water oxygen effect, using diamond scattering layer to improve the light transmittance of the effect, not only can greatly improve the lifetime of OLED devices, but also can ensure the light output device with high efficiency OLED.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具...
【技术保护点】
一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一阻隔层(20)，所述第一阻隔层(20)整面覆盖所述OLED器件(10)；步骤2、在所述第一阻隔层(20)上形成第一硅掺杂类金刚石层(30)，所述第一硅掺杂类金刚石层(30)整面覆盖所述第一阻隔层(20)；步骤3、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)上形成类金刚石散射层(40)；步骤4、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)上形成第一有机缓冲层(50)，所述第一有机缓冲层(50)整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40...
【技术特征摘要】
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一阻隔层(20)，所述第一阻隔层(20)整面覆盖所述OLED器件(10)；步骤2、在所述第一阻隔层(20)上形成第一硅掺杂类金刚石层(30)，所述第一硅掺杂类金刚石层(30)整面覆盖所述第一阻隔层(20)；步骤3、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)上形成类金刚石散射层(40)；步骤4、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)上形成第一有机缓冲层(50)，所述第一有机缓冲层(50)整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)；步骤5、在所述第一有机缓冲层(50)上形成第二阻隔层(60)，所述第二阻隔层(60)整面覆盖所述第一有机缓冲层(50)。2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤2中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成第一硅掺杂类金刚石层(30)；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的材料为掺杂硅元素的类金刚石，其中，硅元素的含量小于10wt％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的光线透过率大于或者等于95％；所述第一硅掺杂类金刚石层(30)的厚度为10nm-100nm。3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤3中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成类金刚石散射层(40)；所述类金刚石散射层(40)的材料为未掺杂的类金刚石；所述类金刚石散射层(40)包括间隔设置的多个条形类金刚石膜层(41)，或者包括呈阵列排布的多个圆形类金刚石膜层(42)；所述类金刚石散射层(40)的厚度为10nm-1μm。4.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤1中，采用等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积、或者溅射的方式形成第一阻隔层(20)；所述第一阻隔层(20)的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、及二氧化钛中的一种或多种；所述第一阻隔层(20)的厚度为0.5μm-1μm；所述步骤4中，利用喷墨打印、等离子体增强化学气相沉积、或者狭缝涂布的方式形成第一有机缓冲层(50)；所述第一有机缓冲层(50)的材料包括亚克力树脂、聚苯乙烯类化合物、及聚酯类化合物中的一种或多种；所述第一有机缓冲层(50)的厚度为1μm-10μm。5.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：金江江，徐湘伦，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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