OLED封装方法与OLED封装结构技术

本发明专利技术提供一种OLED封装方法与OLED封装结构，通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层，利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率，来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。

OLED packaging method and OLED packaging structure

The present invention provides a method for OLED packaging and OLED packaging structure, through the introduction of diamond film doped titanium in OLED thin film encapsulation layer, using titanium doped diamond-like carbon film high light transmittance, good flexibility, high thermal conductivity and low water oxygen transmission rate, to improve the transmittance of OLED thin film encapsulation layer rate, bending properties, thermal conductivity and oxygen barrier of water and improve the ability of flexible OLED display performance and service life of the panel.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。OLED器件的封装材料多使用致密度高且具有良好导热性的材料，以确保OLED器件中的有机层及电极层材料与外界环境完全隔离，并有效排出OLED器件长时间工作所产生的热能。类金刚石(Diamond-LikeCarbon，DLC)具有良好的抗磨耗性能、较佳的耐腐蚀性、高致密度以及高热传导性，同时对湿气具有较低的水穿透率，因此相对于一般的有机材料或陶瓷材料来说，在OLED的封装工艺上具有一定的优势。目前，应用DLC材料的OLED封装结构一般采用DLC膜/缓冲层/DLC膜/缓冲层交替的结构，如Kuang-JungChen在专利US20040056269中的封装结构采用DLC膜与缓冲层交替的方式，DLC膜用于阻隔外界的水氧，缓冲层用于缓解应力。随后，在CN1328936C、US20060078677等专利中都可以看到一系列此类型的封装工艺。然而，由于纯DLC膜的密度较高，因此光穿透性不高，而且膜的应力很大，在弯曲时容易出现裂痕。XiaoweiLi等人在Elsevier上报道了采用不同浓度的钛(Ti)掺杂DLC后对DLC膜的应力大小的影响，结果表明，随着Ti含量的增加，膜应力呈现先减小后增大的趋势，该研究为解决DLC膜在弯曲时易出现裂痕的问题提供了很好的指导方案。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED封装方法，能够提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。本专利技术的目的还在于提供一种OLED封装结构，能够提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种OLED封装方法的第一实施例，包括如下步骤：步骤1、提供OLED器件，在所述OLED器件上形成第一无机层，所述第一无机层整面覆盖所述OLED器件；步骤2、在所述第一无机层上形成第一钛掺杂类金刚石膜层，所述第一钛掺杂类金刚石膜层整面覆盖所述第一无机层；步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层上形成第一有机层，所述第一有机层整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层；步骤4、在所述第一有机层上形成第二无机层，所述第二无机层整面覆盖所述第一有机层。本专利技术还提供一种OLED封装方法的第二实施例，其与上述OLED封装方法的第一实施例的区别在于，还包括：步骤5、在所述第二无机层上形成第二钛掺杂类金刚石膜层，所述第二钛掺杂类金刚石膜层整面覆盖所述第二无机层。本专利技术还提供一种OLED封装方法的第三实施例，其与上述OLED封装方法的第一实施例的区别在于，还包括：步骤5’、在所述第二无机层上形成第二有机层，所述第二有机层整面覆盖所述第二无机层；在所述第二有机层上形成第三无机层，所述第三无机层整面覆盖所述第二有机层。本专利技术还提供一种OLED封装方法的第四实施例，其与上述OLED封装方法的第二实施例的区别在于，还包括：步骤6、在所述第二钛掺杂类金刚石膜层上形成第二有机层，所述第二有机层整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层；在所述第二有机层上形成第三无机层，所述第三无机层整面覆盖所述第二有机层。本专利技术还提供一种OLED封装方法的第五实施例，其与上述OLED封装方法的第四实施例的区别在于，还包括：步骤7、在所述第三无机层上形成第三钛掺杂类金刚石膜层，所述第三钛掺杂类金刚石膜层整面覆盖所述第三无机层。本专利技术还提供一种OLED封装结构的第一实施例，包括OLED器件、设于OLED器件上且整面覆盖所述OLED器件的第一无机层、设于第一无机层上且整面覆盖所述第一无机层的第一钛掺杂类金刚石膜层、设于第一钛掺杂类金刚石膜层上且整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层的第一有机层、以及设于第一有机层上且整面覆盖所述第一有机层的第二无机层。本专利技术还提供一种OLED封装结构的第二实施例，其与上述OLED封装结构的第一实施例的区别在于，还包括：设于所述第二无机层上且整面覆盖所述第二无机层的第二钛掺杂类金刚石膜层。本专利技术还提供一种OLED封装结构的第三实施例，其与上述OLED封装结构的第一实施例的区别在于，还包括：设于所述第二无机层上且整面覆盖所述第二无机层的第二有机层、以及设于所述第二有机层上且整面覆盖所述第二有机层的第三无机层。本专利技术还提供一种OLED封装结构的第四实施例，其与上述OLED封装结构的第二实施例的区别在于，还包括：设于所述第二钛掺杂类金刚石膜层上且整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层的第二有机层、以及设于所述第二有机层上且整面覆盖所述第二有机层的第三无机层。本专利技术还提供一种OLED封装结构的第五实施例，其与上述OLED封装结构的第四实施例的区别在于，还包括：设于所述第三无机层上且整面覆盖所述第三无机层的第三钛掺杂类金刚石膜层。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种OLED封装方法与OLED封装结构，通过在OLED薄膜封装层中引入钛掺杂类金刚石膜层，利用钛掺杂类金刚石膜层较高的光透过率、较好的柔性、高热传导性以及较低的水氧透过率，来提高OLED薄膜封装层的光透过率、弯折特性、热传导能力及阻隔水氧能力，进而提高柔性OLED显示面板的使用性能与使用寿命。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为本专利技术的OLED封装方法的第一实施例的流程图；图2-3为本专利技术的OLED封装方法的第一实施例的步骤1的示意图；图4为本专利技术的OLED封装方法的第一实施例的步骤2的示意图；图5为本专利技术的OLED封装方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供OLED器件(101)，在所述OLED器件(101)上形成第一无机层(201)，所述第一无机层(201)整面覆盖所述OLED器件(101)；步骤2、在所述第一无机层(201)上形成第一钛掺杂类金刚石膜层(301)，所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)整面覆盖所述第一无机层(201)；步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上形成第一有机层(401)，所述第一有机层(401)整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)；步骤4、在所述第一有机层(401)上形成第二无机层(202)，所述第二无机层(202)整面覆盖所述第一有机层(401)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供OLED器件(101)，在所述OLED器件(101)上形成第一无机层(201)，所述第一无机层(201)整面覆盖所述OLED器件(101)；步骤2、在所述第一无机层(201)上形成第一钛掺杂类金刚石膜层(301)，所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)整面覆盖所述第一无机层(201)；步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上形成第一有机层(401)，所述第一有机层(401)整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)；步骤4、在所述第一有机层(401)上形成第二无机层(202)，所述第二无机层(202)整面覆盖所述第一有机层(401)。2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：步骤5、在所述第二无机层(202)上形成第二钛掺杂类金刚石膜层(302)，所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)整面覆盖所述第二无机层(202)。3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：步骤5’、在所述第二无机层(202)上形成第二有机层(402)，所述第二有机层(402)整面覆盖所述第二无机层(202)；在所述第二有机层(402)上形成第三无机层(203)，所述第三无机层(203)整面覆盖所述第二有机层(402)。4.如权利要求2所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：步骤6、在所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)上形成第二有机层(402)，所述第二有机层(402)整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)；在所述第二有机层(402)上形成第三无机层(203)，所述第三无机层(203)整面覆盖所述第二有机层(402)。5.如权利要求4所述的O...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭斯敏，金江江，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42