一种白光LED外延结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种白光LED外延结构及其制备方法，采用稀土元素掺杂的YAG透明陶瓷或单晶为衬底进行GaN基LED外延结构生长，外延结构自下而上包括：低温AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、GaN缓冲层、n型GaN层、AlGaN阻挡层、InGaN/GaN多量子阱发光层、AlGaN阻挡层、P型GaN层和高掺杂p型GaN电极接触层，由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种GaN基白光LED外延片，其结构自下而上依次为衬底、低温AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、GaN缓冲层、n型GaN层、AlGaN阻挡层、InGaN/GaN多量子阱发光层、AlGaN阻挡层、P型GaN层和高掺杂p型GaN电极接触层，其特征在于：其衬底采用稀土元素掺杂的Y3Al5O12(YAG)陶瓷或单晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹永革，刘著光，邓种华，陈剑，袁轩一，
申请(专利权)人：曹永革，
类型：发明
国别省市：