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本发明提供一种白光LED外延结构及其制备方法，采用稀土元素掺杂的YAG透明陶瓷或单晶为衬底进行GaN基LED外延结构生长，外延结构自下而上包括：低温AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、GaN缓冲层、n型GaN层、AlGaN阻挡层、InGaN/G...
该专利属于曹永革所有，仅供学习研究参考，未经过曹永革授权不得商用。

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