一种发光二极管封装件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管封装件，包括：

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管封装件


[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种发光二极管封装件
。

技术介绍

[0002]发光二极管
(LED)
是一种半导体照明装置，与常规照明装置相比，具有多种优点
。
例如，
LED
具有较长的使用寿命
、
体积小巧
、
功率消耗少以及无汞污染
。
因此，
LED
代替了常规照明装置而被频繁用作新型照明装置和背光产品
。
[0003]现有的发光二极管的封装结构中，有的封装结构在芯片侧面直接设置反射层，如中国专利
CN202110965678.3
，专利名称：新型微型
LED
封装结构及其封装方法等，此类封装结构存在以下问题：
[0004]直接设置反射层仅能实现芯片的单面出光，出光角度约
110~120
°
，在应用到背光源应道显示器件上时，如果实现模组出光的均匀性，势必减少
LED
之间的间距，这就增加器件成本；
[0005]封装结构中的光转换层裸露在空气中，因此不能使用易受潮的
KSF
荧光粉，只能使用常规的非氟化物的荧光粉，导致无法实现器件的高色域；
[0006]此类
LED
采用的芯片尺寸极小，其电极面积也相对应的较小
。
在封装过程中难以对微型
LED
芯片进行非常精确的控制，以实现芯片电极与基板焊盘正确连接，难以确保每个
LED
都能被正确地放置，封装的效率和良品率低
。

技术实现思路

[0007]本技术的目的在于：提供一种发光二极管封装件，能够增大芯片的出光角度，减少背光应用
LED
使用颗粒数，降低成本，能够对荧光膜进行保护，实现器件的高色域，通过增加芯片焊盘的面积
、
改进芯片焊盘结构和与焊盘直接连接的电极结构，提高微型芯片焊盘在基板上放置的准确度，提高封装的效率和良品率
。
[0008]为实现上述目的，本技术所采取的技术方案是：一种发光二极管封装件，包括：
[0009]LED
芯片，具有一顶表面，与顶面相对设置的底面，以及连接顶面和底面的侧面；
[0010]荧光膜，覆盖所述
LED
芯片的顶面；
[0011]第一反射层，至少围设于所述
LED
芯片的侧面四周，并暴露出
LED
芯片的电极至少一部分；
[0012]透光层，设置在所述荧光膜上方；
[0013]遮光层，设置在所述透光层上方；
[0014]焊盘结构，设置在所述
LED
芯片下方，所述焊盘结构包括分别与
LED
芯片的第一电极电连接的第一焊盘和与
LED
芯片的第二电极连接的第二焊盘，第一焊盘与第二焊盘之间相互绝缘，所述焊盘结构的底面积之和是所述发光二极管封装件底面积的
0.3~1
倍；
[0015]以及包覆所述焊盘结构侧壁的第二反射层；
[0016]所述发光二极管封装件的主要出光面为顶面和侧面
。
[0017]本技术更进一步改进方案是，所述透光层的底面至少覆盖所述荧光膜的顶面
、
所述第一反射层的顶面和
/
或侧面，所述遮光层的底面覆盖所述透光层的顶面
。
[0018]本技术更进一步改进方案是，所述荧光膜的宽度不小于
LED
芯片宽度，所述第一反射层包覆所述
LED
芯片的侧面四周和部分底面以及所述荧光膜的侧面四周，且所述第一反射层的顶面与所述荧光膜的顶面齐平
。
[0019]本技术更进一步改进方案是，所述荧光膜的宽度大于
LED
芯片宽度
20~50um
，且荧光膜的边缘到第一反射层外侧的距离＞
50um
，所述第一反射层包覆所述荧光膜的侧面四周和部分底面
。
荧光膜的宽度大于
LED
芯片的宽度是因为需切割道要求，较难齐平，离第一反射层外侧的距离＞
50um
便于对
KSF
荧光粉做保护
。
[0020]本技术更进一步改进方案是，所述荧光膜的宽度大于
LED
芯片的宽度，所述第一反射层的顶面与所述
LED
芯片的顶面齐平，所述荧光膜覆盖所述
LED
芯片的顶面以及所述第一反射层的顶面；所述透光层至少包裹荧光膜的整个顶面及其侧面
。
[0021]本技术更进一步改进方案是，所述第二反射层设置在所述透光层的底面且围设于所述第一反射层四周
。
[0022]本技术更进一步改进方案是，所述荧光膜的宽度大于
LED
芯片的宽度，所述荧光膜覆盖所述
LED
芯片的顶面并包裹
LED
芯片的部分侧面，所述透光层包裹荧光膜的整个顶面及侧面，所述第一反射层的顶面与所述透光层的底面以及所述荧光膜的侧面底部齐平
。
[0023]本技术更进一步改进方案是，所述第一反射层的侧面与所述荧光膜的侧面齐平，所述第二反射层围设于所述第一反射层的侧面，所述第二反射层的侧面与透光层的侧面齐平
。
[0024]本技术更进一步改进方案是，所述荧光膜的顶面距离遮光层底面的垂直距离为
D1
，
1000um
＞
D1
＞
100um
；
[0025]和
/
或，所述第二反射层厚度的厚度为
H1
，所述荧光膜的厚度为
H4
，所述
LED
芯片的高度为
H2
，
H2+H4≥H1≥0
；
[0026]和
/
或，所述遮光层的厚度为
H3
，
1000um
＞
H3
＞
10um
；
[0027]和
/
或，所述透光层的外侧壁与所述第一反射层的外侧壁的间距为
D2
，
D2
＞
50um
；
[0028]和
/
或，第一焊盘与第二焊盘之间的间距为
D3
，第一电极和第二电极之间的间距为
D4
，
D3≤D4
，且
D3≥150
μ
m。
[0029]本技术更进一步改进方案是，所述
LED
芯片的第一电极和
/
或第二电极由多层金属构成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光二极管封装件，其特征在于，包括：
LED
芯片（2），具有一顶表面，与顶面相对设置的底面，以及连接顶面和底面的侧面；荧光膜（1），覆盖所述
LED
芯片（2）的顶面；第一反射层（3），至少围设于所述
LED
芯片（2）的侧面四周，并暴露出
LED
芯片（2）电极的下端面；透光层（5），设置在所述荧光膜（1）上方；遮光层（6），设置在所述透光层（5）上方；焊盘结构（7），设置在所述
LED
芯片（2）下方，所述焊盘结构（7）包括分别与
LED
芯片（2）的第一电极（
2.1
）电连接的第一焊盘（
7.1
）和与
LED
芯片的第二电极（
2.2
）连接的第二焊盘（
7.2
），第一焊盘（
7.1
）与第二焊盘（
7.2
）之间相互绝缘；以及包覆所述焊盘结构（7）侧壁的第二反射层（8）
。2.
根据权利要求1所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述透光层（5）的底面至少覆盖所述荧光膜（1）的顶面
、
所述第一反射层（3）的顶面和
/
或侧面，所述遮光层（6）的底面覆盖所述透光层（5）的顶面
。3.
根据权利要求2所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述荧光膜（1）的宽度不小于
LED
芯片（2）宽度，所述第一反射层（3）包覆所述
LED
芯片（2）的侧面四周和部分底面以及所述荧光膜（1）的侧面四周，且所述第一反射层（3）的顶面与所述荧光膜（1）的顶面齐平
。4.
根据权利要求3所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述荧光膜（1）的宽度大于
LED
芯片（2）宽度
20~50um
，且荧光膜（1）的边缘到第一反射层（3）外侧的距离＞
50um
，所述第一反射层（3）包覆所述荧光膜（1）的侧面四周和部分底面
。5.
根据权利要求2所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述荧光膜（1）的宽度大于
LED
芯片（2）的宽度，所述第一反射层（3）的顶面与所述
LED
芯片（2）的顶面齐平，所述荧光膜（1）覆盖所述
LED
芯片（2）的顶面以及所述第一反射层（3）的顶面；所述透光层（5）至少包裹荧光膜（1）的整个顶面及其侧面
。6.
根据权利要求1或5所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述第二反射层（8）设置在所述透光层（5）的底面且围设于所述第一反射层（3）四周
。7.
根据权利要求1所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述荧光膜（1）的宽度大于
LED
芯片（2）的宽度，所述荧光膜（1）覆盖所述
LED
芯片（2）的顶面并包裹
LED
芯片（2）的部分侧面，所述透光层（5）包裹荧光膜（1）的整个顶面及侧面，所述第一反射层（3）的顶面与所述透光层（5）的底面以及所述荧光膜（1）的侧面底部齐平
。8.
根据权利要求7所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述第一反射层（3）的侧面与所述荧光膜（1）的侧面齐平，所述第二反射层（8）围设于所述第一反射层（3）的侧面，所述第二反射层（8）的侧面与透光层（5）的侧面齐平
。9.
根据权利要求1所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述焊盘结构（7）的底面积之和是所述发光二极管封装件底面积的
0.3~1
倍
。10.
根据权利要求1所述的一种发光二极管封装件，其特征在于：所述荧光膜（1）的顶面距离遮光层（6）底面的垂直距离为
D1
，
1000um
＞
D1
＞
100um
；和
/
或，所述第二反射层（8）厚度的厚度为
H1
，所述荧光膜（1）的厚度为
H4
，所述
LED
芯片
（2）的高度为
H2
，
H2+H4≥H1≥0
；和
/
或，所述遮光层（6）的厚度为
H3
，
1000um
＞
H3
＞
10um
；和
/
或，所述透光层（5）的外侧壁与所述第一反射层（3）的外侧壁的间距为
D2
，
D2
＞
50um
；和
/
或，第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦玲，黄静，陈锴，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：