微发光二极管显示屏及制备方法技术

技术编号:39514711 阅读:15 留言:0更新日期:2023-11-25 18:52
本申请提供一种微发光二极管显示屏及制备方法,该显示屏包括:微发光二极管阵列基板,所述微发光二极管阵列基板中设置有多个像素,所述多个像素至少包括第一子像素和第二子像素;光散射结构,制备于所述第一子像素之上,用于散射所述第一子像素产生的第一出射光;光转换结构,制备于所述第二子像素之上,用于转换所述第二子像素产生的第二出射光;金属隔离结构,制备于所述光散射结构和所述光转换结构之间,且所述光散射结构

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管显示屏及制备方法


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种微发光二极管显示屏及制备方法


技术介绍

[0002]随着显示领域的不断发展,微发光二极管
(Micro Light Emitting Diode

Micro LED)
光机在小尺寸显示领域应用的越发广泛,如在增强现实眼镜
(AR Glass

Augmented reality Glass)
中,其显示方式是通过亮度高

体积小

寿命长的
Micro LED
光机与衍射光波导组合器共同显示的

但是由于红光
Micro LED
材料的物理特性限制,在小尺寸红光
Micro LED
材料制备红光
LED
的场景下,其发光效率急剧降低,大幅影响到显示效果,因此,现有技术中,通常采用蓝光或者紫外光
Micro LED
材料制备红光子像素,再激发红光光转换材料,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种微发光二极管显示屏,其特征在于,包括:微发光二极管阵列基板,所述微发光二极管阵列基板中设置有多个像素,所述多个像素至少包括第一子像素和第二子像素;光散射结构,制备于所述第一子像素之上,用于散射所述第一子像素产生的第一出射光;光转换结构,制备于所述第二子像素之上,用于转换所述第二子像素产生的第二出射光;金属隔离结构,制备于所述光散射结构和所述光转换结构之间,且所述光散射结构

所述光转换结构和所述金属隔离结构位于同一层
。2.
根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述第一子像素和所述第二子像素的侧面与底面包裹有金属反射层
。3.
根据权利要求1或2所述的显示屏,其特征在于,还包括:电路背板,与所述微发光二极管阵列基板键合,用于驱动所述第一子像素产生所述第一出射光,驱动所述第二子像素产生所述第二出射光
。4.
根据权利要求1至3任一项所述的显示屏,其特征在于,每个所述像素包括两个第一子像素和一个第二子像素,其中,一个所述第一子像素为制备有绿光氮化铟镓微发光二极管的绿光子像素,另一个所述第一子像素为制备有蓝光氮化铟镓微发光二极管的蓝光子像素,所述第二子像素为制备有蓝光氮化铟镓微发光二极管的红光子像素
。5.
根据权利要求1至3任一项所述的显示屏,其特征在于,每个所述像素包括一个第一子像素和两个第二子像素,其中,一个所述第一子像素为制备有蓝光氮化铟镓微发光二极管的蓝光子像素,一个所述第二子像素为制备有蓝光氮化铟镓微发光二极管的红光子像素,另一个所述第二子像素为制备有蓝光氮化铟镓微发光二极管的绿光子像素
。6.
根据权利要求1至5任一项所述的显示屏,其特征在于,所述微发光二极管阵列基板包括与电路背板电气连接的多个电极,所述多个电极连接供电,每个所述电极上方对应制备有一个所述第一子像素或所述第二子像素,所述第一子像素和所述第二子像素的侧面,与所述金属反射层之间沉积有介电层,所述第一子像素和所述第二子像素底面的金属反射层与所述电极相连
。7.
根据权利要求1至6任一项所述的显示屏,其特征在于,所述显示屏还包括:封装层,位于同一层的所述光散射结构

所述光转换结构和所述金属隔离结构之上
。8.
根据权利要求7所述的显示屏,其特征在于,还包括:微透镜阵列,制备于所述封装层之上,所述微透镜阵列包含多个微透镜,每个所述微透镜对应设置于所述光散射结构或所述光转换结构上方
。9.
根据权利要求1至8任一项所述的显示屏,其特征在于,所述第二子像素的尺寸,与对应的所述光转换结构中光转换材料的转换效率相适应
。10.
根据权利要求1至9任一项所述的显示屏,其特征在于,还包括:透明电极,沉积于所述第一子像素和所述第二子像素之上
。11.
一种微发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:
制备微发光二极管阵列基板,所述微发光二极管阵列基板中设置有多个像素,所述多个像素至少包括第一子像素和第二子像素;在所述微发光二极管阵列基板的同一层上,制备金属隔离结构

光散射结构和光转换结构,其中,在所述光散射结构和所述光转换结构之间制备所述金属隔离结构,在所述第一子像素之上制备用于散射所述第一子像素产生的第一出射光的光散射结构,在所述第二子像素之上,制备用于转换所述第二子像素产生的出射光的光转换结构
。12.
根据权利要求
11
所述的方法,其特征在于,所述制备微发光二极管阵列基板包括:制备微发光二极管阵列,所述微发光二极管阵列包括多个像素,所述像素包括所述第一子像素和所述第二子像素;在所述微发光二极管阵列上沉积介电层;在刻蚀后的所述介电层上沉积金属,得到包裹着所述第一子像素和所述第二子像素的侧面和表面的金属反射层,其中,所述子像素的侧面与所述金属反射层之间有...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗琨江从彪张翠萍
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1