一种发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管在第二半导体层远离有源层的一侧依次形成透明导电层、电流阻挡层及第一金属反射层，第一金属反射层紧邻电流阻挡层的一侧为第一Al反射层，金属Al在短波波段具有较高的反射率，能够增加对有源层辐射的光的反射；同时，由于第一Al反射层和电流阻挡层之间无须形成粘附层，不存在粘附层的吸光问题。并且所述第一金属反射层的投影面积大于或者等于所述透明导电层的投影面积，使得第一金属反射层能够包覆住更大的出光面，由此也能进一步提高对光的反射。反射。反射。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有效率高、寿命长、体积小、功耗低等优点，广泛应用于室内外白光照明、屏幕显示、背光源等领域。LED的发光效率是衡量LED器件好坏至关重要的指标之一。
[0003]现有技术中，对于垂直芯片，目前大多采用银作为反射电极，在透明导电层上方形成电流阻挡层，然后在电流阻挡层上方沉积粘附层及银反射镜。银反射镜虽然具有较好的反射效果，但是在短波波段(例如365nm左右)，银的反射率会急剧的下降，并且由于银和电流阻挡层的粘附性不佳，因此常常需要在银和电流阻挡层之间增加一层粘附层，然而粘附层一般由氧化铟锡制备而成，在短波范围内也存在较为严重的吸光现象，这就导致芯片的发光效率降低。
[0004]有鉴于此，有必要提供一种在短波段能够减少对光的吸收同时增加对光的反射的技术，以进一步提高LED芯片的光取出率。

技术实现思路

[0005]鉴于现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，具有相对设置的出光面及背面，所述发光二极管包括半导体叠层，所述半导体叠层自所述出光面至所述背面方向依次包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，其特征在于，所述第二半导体层远离所述有源层的一侧依次形成有透明导电层、电流阻挡层及第一金属反射层，所述电流阻挡层中形成有贯通至所述透明导电层的第一通孔，所述第一通孔内形成有第二金属反射层，所述第一金属反射层经所述第二金属反射层与所述透明导电层电连接；所述第一金属反射层紧邻所述电流阻挡层的一侧为第一Al反射层。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第一金属反射层还包括形成在所述第一Al反射层远离所述电流阻挡层一侧的第一金属保护层。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二金属反射层至少包括形成在所述第一通孔底部的金属粘附层以及形成在所述金属粘附层远离所述透明导电层一侧的第二Al反射层，所述第二Al反射层填充在所述电流阻挡层及所述金属粘附层内部。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二金属反射层还包括形成在所述第二Al反射层远离所述透明导电层一侧的第二金属保护层。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二金属反射层的厚度等于或者小于所述第一通孔的深度。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二金属反射层的厚度与所述第一通孔的深度差的绝对值不大于390μm。7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述金属粘附层的厚度介于0.1nm～10nm。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔在所述第一金属反射层上的投影面积占比为10％～30％，或者30％～60％。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔的底部宽度介于1μm～20μm。10.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二Al反射层的厚度介于50nm～500nm。11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一Al反射层的厚度介于50nm～500nm。12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电层至少覆盖部分所...

【专利技术属性】
技术研发人员：江宾，张中英，蔡吉明，臧雅姝，黄秀丽，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：