一种半导体激光器及其显示装置制造方法及图纸

技术编号：41408846 阅读：3 留言：0更新日期：2024-05-20 19:35

本发明专利技术公开了一种半导体激光器及其显示装置，包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层；第一半导体层和有源层之间包括有第一波导层，第二半导体层和有源层之间包括有第二波导层；第二波导层与第二半导体层之间设置有电子阻挡层，电子阻挡层在靠近第二半导体层一侧包括至少一部分为P型掺杂层，P型掺杂层的组分大于1E19cm<supgt;‑3</supgt;，电子阻挡层靠近第二半导体层一侧的P型掺杂浓度高于电子阻挡层远离第二半导体层的P型掺杂浓度，避免P型掺杂扩散至第二波导层，导致第二波导层吸光上升。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俞授，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人