【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管是一种将电能转换为光能的固体发光器件，由于其具有寿命长，体积小，耐震性好，节电，高效，响应时间快，驱动电压低，环保等优点，而广泛用于指示，显示，装饰，照明等诸多领域。
2、目前发光二极管的外量子效率很难再提升。例如，发光二极管的外延层出射的光容易被形成在外延层上方的金属电极吸收，进而减少了光的出射效率。现有技术中通常在电极与外延层之间设置反射层，然而反射层的反射效率很有限，如何进一步提升发光二极管的出射的光成为本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，以提高发光二极管的出光效率。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种发光二极管，包括：
3、外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层；
4、透明导电层，设置于第二半导体层上；
5、绝缘结构...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的开口宽度自所述透明导电层向第二开口的方向上逐渐增大，所述第二开口的开口宽度自所述第一开口向所述金属反射层的方向上逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的侧壁的倾斜度小于所述第二开口的侧壁的倾斜度。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的侧壁形成为弧形。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的下开口的开口宽度大于所述第一开口的下开口的开口宽度
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的开口宽度自所述透明导电层向第二开口的方向上逐渐增大，所述第二开口的开口宽度自所述第一开口向所述金属反射层的方向上逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的侧壁的倾斜度小于所述第二开口的侧壁的倾斜度。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的侧壁形成为弧形。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的下开口的开口宽度大于所述第一开口的下开口的开口宽度的2倍。
6.根据权利要求1～5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘结构包括：
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的侧壁包括全部厚度的所述绝缘反射层以及部分厚度的第一绝缘层。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘反射层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘反射层为dbr反射层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述dbr反射层包括多个由第一材料层和第二材料层组成的层对，所述第一材...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀山，李燕，荆琪，包志豪，阳清超，李俊贤，蔡吉明，凃如钦，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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