一种芯片加工方法技术

技术编号:40580291 阅读:30 留言:0更新日期:2024-03-06 17:23
本申请涉及芯片生产技术领域,具体公开一种芯片加工方法,包括如下步骤:对若干单层晶片进行堆叠设置,并焊接相邻两个单层晶片,形成复合晶片;对所述复合晶片进行切割,形成若干复合芯片;将各个所述复合芯片分别焊接至基板一侧表面。在芯片加工的过程中,首先,将若干单层晶片堆叠后焊接成复合晶片,再将复合晶片切割成所需要大小的复合芯片,最后,将复合芯片分别焊接至基板一侧的表面。相比于传统的芯片加工方法,上述方法中将若干个单层晶片进行复合后直接切割成所需的复合芯片,复合芯片与基板进行焊接只需要一次确认和识别可以直接达到多个单层芯片的效果,避免了多次进行焊接芯片以使等待时间较长,可以提高芯片加工的效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片生产,特别是涉及一种芯片加工方法


技术介绍

1、随着芯片的快速发展,封装技术应用也越来越广泛,在生产多层芯片产品时主要采用的加工方法是将晶片切割成芯片后,用倒装方式对芯片逐颗焊接,以使芯片和基板之间进行焊接,而这种加工方法在焊接每一颗芯片时都需要对每颗芯片进行单独的确认和识别,加工效率不高。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对上述问题,提供一种芯片加工方法包括如下步骤:对若干单层晶片进行堆叠设置,并焊接相邻两个单层晶片,形成复合晶片;

2、对所述复合晶片进行切割,形成若干复合芯片;

3、将各个所述复合芯片分别焊接至基板一侧表面。

4、在其中一个实施例中,在所述对若干单层晶片进行堆叠设置的步骤中,在各所述单层晶片的待堆叠表面涂覆助焊剂;

5、在所述焊接相邻两个单层晶片的步骤中,结合相邻两个单层晶片之间的助焊剂,对相邻两个单层晶片进行焊接。

6、在其中一个实施例中,所述单层晶片的待堆叠表面为所述单层晶片的焊点所在表面的相反表面;在对若干本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片加工方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的芯片加工方法,其特征在于,在所述对若干单层晶片进行堆叠设置的步骤中,在各所述单层晶片的待堆叠表面涂覆助焊剂;

3.根据权利要求2所述的芯片加工方法,其特征在于,所述单层晶片的待堆叠表面为所述单层晶片的焊点所在表面的相反表面;在对若干单层晶片进行堆叠设置的步骤中,相邻两个单层晶片中的一个单层晶片的焊点与另一个单层晶片的待堆叠表面相接。

4.根据权利要求1所述的芯片加工方法,其特征在于,在对若干单层晶片进行堆叠设置的步骤中,根据定位点对若干所述单层晶片进行堆叠。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种芯片加工方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的芯片加工方法,其特征在于,在所述对若干单层晶片进行堆叠设置的步骤中,在各所述单层晶片的待堆叠表面涂覆助焊剂;

3.根据权利要求2所述的芯片加工方法,其特征在于,所述单层晶片的待堆叠表面为所述单层晶片的焊点所在表面的相反表面;在对若干单层晶片进行堆叠设置的步骤中,相邻两个单层晶片中的一个单层晶片的焊点与另一个单层晶片的待堆叠表面相接。

4.根据权利要求1所述的芯片加工方法,其特征在于,在对若干单层晶片进行堆叠设置的步骤中,根据定位点对若干所述单层晶片进行堆叠。

5.根据权利要求1所述的芯片加工方法,其特征在于,在所述焊接相邻两个单层晶片的步骤中,将堆叠设置的若干单层晶片放入真空压模设备。

6.根据权利要求5所述的芯片加工方法,其特征在于,在对...

【专利技术属性】
技术研发人员:张景南陈明展王嘉磊
申请(专利权)人:南京屹立芯创半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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