一种发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光二极管及发光装置，其中发光二极管包括衬底、外延结构以及第一反射层。外延结构自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向上依次堆叠第一半导体层、有源层以及第二半导体层，外延结构的侧壁相对垂直于衬底的方向上向外延结构的几何中心倾斜。第一反射层覆盖于外延结构的表面上，第一反射层包括第一部分和第二部分，第一部分覆盖于外延结构的第一台面的部分表面及第二台面的部分表面，第二部分完全覆盖于外延结构的第一侧壁，第一部分的厚度大于第二部分的厚度，第一部分的厚度与第二部分的厚度之比介于1.3～1.56。由此，本发明专利技术可以尽可能的减少外延结构侧壁上的第一反射层对外延结构发出光的折射，增加反射光，提高发光二极管亮度。高发光二极管亮度。高发光二极管亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]MiNi LED封装主要有三种方式：倒装、正装及垂直。由于倒装技术具有提升发光效率、提升散热性能、提升封装可靠性及良率的优势，倒装技术成为MiNi LED重点发展的封装技术。如何提升产品的亮度和/或可靠性，成为现有倒装结构开发的主要挑战。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，以提高半导体外延层侧壁的光反射率及发光二极管的出光效率。
[0004]为了实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种发光二极管，包括：
[0005]衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；
[0006]外延结构，设置于衬底的第一表面，并自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向上依次堆叠第一半导体层、有源层以及第二半导体层，外延结构的侧壁相对于垂直于衬底的方向上向外延结构的几何中心倾斜；外延结构包括第一台面和第二台面，第一台面由第一半导体层、有源层以及第二半导体层构成，且第一台面暴露第二半导体层；第二台面由第一半导体层构成，且暴露第一半导体层；外延结构的侧壁还包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一台面的侧壁形成为第一侧壁，第一台面与第二台面相连接的部分形成为第二侧壁；
[0007]第一反射层，包括第一部分和第二部分，第一部分覆盖于外延结构的第一台面及第二台面的部分表面，第二部分完全覆盖于外延结构的第一侧壁，第一部分的厚度大于第二部分的厚度，第一部分的厚度与第二部分的厚度之比介于1.3～1.56。
[0008]根据本专利技术的一个方面，本专利技术还提供一种发光装置，发光装置包括封装基板以及发光二极管。其中，封装基板的表面包括固晶区；发光二极管为上述的发光二极管，且所述发光二极管具有第一反射层的一侧固定于所述封装基板的固晶区内。
[0009]与现有技术相比，本专利技术所述的发光二极管及发光装置至少具备如下有益效果：
[0010]本专利技术中的发光二极管包括衬底、外延结构以及第一反射层。其中，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面。外延结构设置于衬底的第一表面，并自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向上依次堆叠第一半导体层、有源层以及第二半导体层，外延结构的侧壁相对于垂直于衬底的方向上向外延结构的几何中心倾斜；外延结构包括第一台面和第二台面，第一台面由第一半导体层、有源层以及第二半导体层构成，且第一台面暴露第二半导体层；第二台面由第一半导体层构成，且暴露第一半导体层；外延结构的侧壁还包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一台面的侧壁形成为第一侧壁，第一台面与第二台面相连接的部分形成为第二侧壁。第一反射层包括第一部分和第二部分，第一部分覆盖于外延结构的第一台面及第二台面的部分表面，第二部分完全覆盖于外延结构的第一侧壁，第一部分的厚度大于第二部分的厚度，第一部分的厚度与第二部分的厚度之比介于1.3～1.56。
[0011]由此，本专利技术可以尽可能的减少外延结构侧壁上的第一反射层对外延结构发出光的折射，增加反射光，提高发光二极管亮度。
[0012]本专利技术所述的发光装置包括上述发光二极管，同样具有上述技术效果。
附图说明
[0013]图1为本专利技术实施例1中所述发光二极管的俯视结构示意图；
[0014]图2为图1中A
‑
A
’
处的截面结构示意图；
[0015]图3为本专利技术一实施例中外延结构发出的光经外延结构侧壁上第一反射层后的光路径原理示意图；
[0016]图4为本专利技术实施例2中所述的发光装置的结构示意图。
[0017]附图标记列表：
[0018]100衬底
[0019]101第一表面
[0020]102第二表面
[0021]103图形结构
[0022]200外延结构
[0023]201第一半导体层
[0024]202有源层
[0025]203第二半导体层
[0026]210第一台面
[0027]220第二台面
[0028]240第一侧壁
[0029]250第二侧壁
[0030]300透明导电层
[0031]401第一电极
[0032]402第二电极
[0033]501第一焊盘
[0034]502第二焊盘
[0035]600第一反射层
[0036]601第一部分
[0037]602第二部分
[0038]700第二反射层
[0039]801第一接合层
[0040]802第二接合层
[0041]900封装基板
具体实施方式
[0042]以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体
实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0043]须知，本专利技术实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0044]在现有倒装结构的封装过程中，为了防止锡膏泄露造成的漏电，会在半导体外侧覆盖绝缘保护层(PV层)作为隔离层。并且，为了保证光尽量从透明衬底的背面发出，一般会将绝缘保护层设置为DBR反射层。然而，现有的DBR镀膜工艺由于阴影效应，在蒸镀过程中，形成在半导体外延层台面和半导体外延层侧壁上的DBR厚度不均匀，导致半导体外延层侧壁上的DBR反射层的厚度较薄，不能达到发生反射要求，进而影响半导体外延层侧壁上的反射率，最终导致整个发光二极管的亮度下降。
[0045]为了解决上述问题以及
技术介绍
中的技术问题，本实施例提供一种发光二极管，该发光二极管包括衬底、外延结构以及第一反射层。其中，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面。外延结构设置于衬底的第一表面，并自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向上依次堆叠第一半导体层、有源层以及第二半导体层，外延结构的侧壁相对垂直于衬底的方向上向外延结构的几何中心倾斜；外延结构包括第一台面和第二台面，第一台面由第一半导体层、有源层以及第二半导体层构成，且第一台面暴露第二半导体层；第二台面由第一半导体层构成，且暴露第一半导体层；外延结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；外延结构，设置于所述衬底的第一表面，并自所述衬底的第一表面沿垂直于所述衬底的方向上依次堆叠第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述外延结构的侧壁相对垂直于所述衬底的方向上向所述外延结构的几何中心倾斜；所述外延结构包括第一台面和第二台面，所述第一台面由第一半导体层、有源层以及第二半导体层构成，且所述第一台面暴露所述第二半导体层；所述第二台面由所述第一半导体层构成，且暴露所述第一半导体层；所述外延结构的侧壁还包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一台面的侧壁形成为第一侧壁，所述第一台面与所述第二台面相连接的部分形成为第二侧壁；第一反射层，包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖于所述外延结构的第一台面的部分表面及第二台面的部分表面，所述第二部分完全覆盖于所述外延结构的第一侧壁，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度之比介于1.3～1.56。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一侧壁与所述衬底的第一表面所形成的夹角介于40
°
～50
°
。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层是由不同折射率材料交替层叠形成的布拉格反射层。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延结构包括：第一电极，设置于第一台面暴露的所述第二半导体层上；第二电极，设置于暴露的所述第一半导体层上。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二侧壁与所述第二台面所形成的夹角介于30
°

【专利技术属性】
技术研发人员：王水杰，徐瑾，石保军，吴美健，刘可，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：