【技术实现步骤摘要】
一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED及其制作方法
[0001]本专利技术涉及LED
,具体涉及一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED及其制作方法。
技术介绍
[0002]LED(发光二极管)是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,可高效地将电能转化为光能。随着LED高亮度化和多色化的进展,应用领域也不断扩展,从指示灯到显示屏,再从室外显示屏到中等光通量功率信号灯和特殊照明的白光光源,最后发展到高光通量通用照明光源。对于LED亮度要求,出光角度及光型的不断提升,除对配合LED芯片下游封装企业进行要求外,芯片企业也得从自身芯片工艺进行优化。
[0003]微棱镜结构是一种具有微米级别尺寸的光学元件,通常由透明材料制成,其表面具有微小的棱镜形状。微棱镜结构在光学系统中起到重要的角色,可以实现光束分束、聚焦、反射等作用。根据不同的应用需求,微棱镜结构可以设计成不同的形状和大小,从而满足各种光学要求。微棱镜结构的表面形状为反射面,具有较高的反射性能,可以有效反射光束,实现光束分束和聚焦等功能。微棱镜结构的定向性 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED,其特征在于,所述LED自下而上依次是蓝宝石衬底、反光膜层、Ag金属反光层、第一介质膜层、第二介质膜层、P型半导体层、P电极、MQW发光层、N型半导体层、N电极和钝化膜;所述Ag金属反光层呈微棱镜阵列方式排布。2.根据权利要求1所述的一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED,其特征在于,所述微棱镜以共底边的方式平面分布延展,其中底边为等边三角形,边长为5μm,三条棱长均为5μm。3.根据权利要求1所述的一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED,其特征在于,所述反光膜层的材料为聚酯,厚度≥2μm。4.根据权利要求1所述的一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED,其特征在于,所述Ag金属反光层在所述反光膜层上,厚度为0.2μm
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0.4μm。5.根据权利要求1所述的一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED,其特征在于,所述第一介质膜层和所述第二介质膜层的材料均为SiO2,厚度为3μm
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4μm。6.根据权利要求1所述的一种Ag微棱镜反光结构同侧电极LED,其特征在于,所述P型半导体层表面为GaP结构。7.一种如权利要求1
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6任一项所述的Ag微棱镜反光结构同侧电极LED的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.在GaAs衬底上,利用MOCVD生长出LED外延片;S2.在外延片上,利用碘酸粗化溶液进行P型半导体层的表面粗化;S3.在一蓝宝石衬底上,利用光刻
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蚀刻结合技术,先涂上一层光刻胶,然后通过掩模板进行光刻,显影后得到孔阵列,然...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈宝,戴文,王克来,李俊承,林擎宇,熊露,熊珊,
申请(专利权)人:南昌凯捷半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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