一种Mini-LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及Mini‑LED技术领域，具体涉及一种Mini‑LED芯片及其制作方法，该Mini‑LED芯片从下至上依次包括：蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层；散热层为由尖晶石、碳纳米管和氟碳树脂组成的混合乳液喷涂而成的涂层；散热层覆盖住除P电极和N电极的芯片表面。本发明专利技术通过在芯片上结构中加入散热层，提高芯片的散热能力，同时通过控制芯片发光层、P型半导体层台面的设置角度以及散热层的厚度，有效提高了芯片光电性能的稳定性和芯片的可靠性，进而延长芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mini-led，具体涉及一种mini-led芯片及其制作方法，更具体涉及一种高可靠性mini-led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、mini-led也就是迷你发光二极管,尺寸小，散热面积有限，芯片散热能力很差。由于mini-led芯片的热容量很小，因此，如果积累了一些热量，芯片的连接温度会迅速提高，如果长时间高温工作，寿命会迅速缩短。

2、此外，由于环境中存在不同程度的静电，会使得mini-led芯片的pn结两端积聚一定数量的极性相反的静电电荷，形成不同程度的静电电压，而当静电电压超过led的最大承受值时，静电电荷将以极短的时间（纳秒）在led芯片的两个电极间放电，从而产生热量，并在led芯片内部的导电层、pn结发光层形成1400℃以上的高温，高温导致局部熔融成小孔，从而造成led漏电、变暗、死灯，短路等现象。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种mini-led芯片及其制作方法，通过在芯片上结构中加入散热层，提高芯片的散热能力，同时通过控制芯片发光层、p型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Mini-LED芯片，其特征在于，所述Mini-LED芯片从下至上依次包括：蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层；

2.根据权利要求1所述的一种Mini-LED芯片，其特征在于，所述尖晶石和碳纳米管的粒径均小于100nm；所述混合乳液中尖晶石和碳纳米管的质量比为1:2。

3.根据权利要求1所述的一种Mini-LED芯片，其特征在于，所述混合乳液的固含量大于65%；所述隔离层为300nm厚的氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种Mini-LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的厚度均大于10μ...

【技术特征摘要】

1.一种mini-led芯片，其特征在于，所述mini-led芯片从下至上依次包括：蓝宝石衬底、键合层、p型半导体层、发光层、n型半导体层、隔离层、p电极、n电极、散热层；

2.根据权利要求1所述的一种mini-led芯片，其特征在于，所述尖晶石和碳纳米管的粒径均小于100nm；所述混合乳液中尖晶石和碳纳米管的质量比为1:2。

3.根据权利要求1所述的一种mini-led芯片，其特征在于，所述混合乳液的固含量大于65%；所述隔离层为300nm厚的氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种mini-led芯片，其特征在于，所述p电极和n电极的厚度均大于10μm，且所述散热层的厚度小于p电极和n电极的厚度。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的mini-led芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步...

【专利技术属性】
技术研发人员：王克来，李俊承，陈宝，戴文，郑万乐，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：