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本发明涉及Mini‑LED技术领域，具体涉及一种Mini‑LED芯片及其制作方法，该Mini‑LED芯片从下至上依次包括：蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层；散热层为由尖晶石、碳纳米管和氟...
该专利属于南昌凯捷半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯捷半导体科技有限公司授权不得商用。

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