一种反极性850nm红外发光LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性850nm红外发光LED芯片及其制作方法。所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、镜面层、介质膜层、银纳米线电流扩展层、保护层、DBR反射层、功能层和环状接触电极，介质膜层上设置有导电通孔，导电通孔位于出光孔正下方；镜面层靠近介质膜层一侧的表面具有一凸台，凸台形状与导电通孔形状相套合，凸台完全嵌入至导电通孔中；凸台上表面采用平面结构，凸台上表面与介质膜层上表面齐平，且凸台上表面与银纳米线电流扩展层下表面直接接触。本申请所提供的反极性850nm红外发光LED芯片，在发光强度的提升同时具有良好的电流扩展和可靠性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led，具体涉及一种反极性850nm红外发光led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、850nm led是一种红外线发射二极管，以波长为850nm的红外线作为发光材料，具有寿命长、热稳定性好、快速响应、均匀发光等特点。在多个领域中都有广泛的应用，包括红外监控、红外照明、遥控器等。850nm的波长处于可见光与红外光之间，它的照明效果较好，可以被人眼感知到微弱的红光，常用于红外监控摄像机、红外夜视装置等设备的照明，以提供红外光源，帮助获取更清晰的图像。因为距离、场景的需求，对于led的发光强度提出了更高要求。此外，传统 850nm led为了获得较好的电流扩展，会牺牲掉一部分外延结构的平整度，外延结构可靠性降低并存在外延结构制作工艺复杂的问题，本专利技术旨在通过结构优化，提升发光强度的同时具有良好的电流扩展和可靠性。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种反极性850nm红外发光led芯片及其制作方法，所得芯片发光强度提升的同时具有良好的电流扩展和可靠性能。

2、为了解决上述问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反极性850nm红外发光LED芯片，其特征在于，所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、镜面层、介质膜层、银纳米线电流扩展层、保护层、DBR反射层、功能层和环状接触电极，所述环状接触电极的环内设置出光孔，所述出光孔设置于所述芯片上表面的左侧；

2.根据权利要求1所述的一种反极性850nm红外发光LED芯片，其特征在于，所述功能层包括从下至上依次设置的AlGaAs发光层、AlGaAs粗化层和N型GaAs欧姆接触层；

3.根据权利要求2所述的一种反极性850nm红外发光LED芯片，其特征在于，所述芯片四周侧壁具有切割道，所述切割...

【技术特征摘要】

1.一种反极性850nm红外发光led芯片，其特征在于，所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、镜面层、介质膜层、银纳米线电流扩展层、保护层、dbr反射层、功能层和环状接触电极，所述环状接触电极的环内设置出光孔，所述出光孔设置于所述芯片上表面的左侧；

2.根据权利要求1所述的一种反极性850nm红外发光led芯片，其特征在于，所述功能层包括从下至上依次设置的algaas发光层、algaas粗化层和n型gaas欧姆接触层；

3.根据权利要求2所述的一种反极性850nm红外发光led芯片，其特征在于，所述芯片四周侧壁具有切割道，所述切割道从所述芯片上表面蚀刻至所述第二键合层上表面；

4.根据权利要求3所述的一种反极性850nm红外发光led芯片，其特征在于，所述钝化层的材料为sin，所述钝化层的厚度为1μm～2μm。

5.根据权利要求3所述的一种反极性850nm红外发光led芯片，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宝，戴文，李俊承，熊露，熊珊，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：