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本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性850nm红外发光LED芯片及其制作方法。所述芯片包括从下至上依次设置的背面电极、硅衬底、第一键合层、第二键合层、镜面层、介质膜层、银纳米线电流扩展层、保护层、DBR反射层、功能层和环状接触电极，...
该专利属于南昌凯捷半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯捷半导体科技有限公司授权不得商用。

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