一种反极性红光LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。该芯片包括键合设置于Si衬底上的介质膜层和反极性红光外延片；所述反极性红光外延片包括从下至上依次设置的GaP窗口层、P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述N型半导体层包括从下至上依次设置的N型限制层、N型电流扩展层和N型粗化层；所述反极性红光外延片四周侧壁从上至下依次设置有第一台阶状蚀刻道和第二台阶状蚀刻道；所述第一台阶状蚀刻道和所述第二台阶状蚀刻道的表面均覆盖设置有DBR钝化层。本发明专利技术的提供的LED芯片，芯粒四周发光弱，热量少，减少碗杯内壁涂层变异及反光效果劣化，可保证封装体性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led，具体涉及一种反极性红光led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、反极性红光led芯片的材料、制程与传统红光led芯片不同，反极性的红光led芯片要比传统极性的芯片发光效率高，在照明和户外显示屏领域被大量应用。随着应用范围场景的不断扩大，应用端也出现了各式各样的封装形式，不同封装形式，led芯片应用效果也是多种多样，为了满足日益增长的消费需求以及满足客户对于低成本的需求，对芯片也提出了要求。

2、封装端对于芯片开展可靠性验证是必不可少的环节，如高温大电流老化。封装体一般为尺寸匹配的碗杯状结构，碗杯内壁具有反光效果的涂层。传统的反极性红光led芯片一般是通体发光芯片，发光的同时也伴随着热量的产生，而led芯片四周与碗杯内壁临近，当led通电发光时，产生的光和热会造成碗杯内壁涂层变异，影响反光效果，从而影响整个封装体的性能。基于此，设计一种能够降低四周发光发热的led芯片，成为亟待解决的技术问题之一。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种反极性红光led芯片及其制作方法，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反极性红光LED芯片，其特征在于，包括键合设置于Si衬底上的介质膜层和反极性红光外延片；

2.根据权利要求1所述一种反极性红光LED芯片，其特征在于，所述DBR钝化层包括由内向外依次交替设置的SiN层和TiO2层，所述DBR钝化层的总层数为5～9。

3.根据权利要求1所述一种反极性红光LED芯片，其特征在于，所述DBR钝化层的总层数为7层，单层SiN层的厚度为100nm，折射率为1.9；单层TiO2层的厚度为50nm，折射率为2.3。

4.根据权利要求1所述一种反极性红光LED芯片，其特征在于，所述第一台阶状蚀刻道立面的上沿与所述N型粗化层的上...

【技术特征摘要】

1.一种反极性红光led芯片，其特征在于，包括键合设置于si衬底上的介质膜层和反极性红光外延片；

2.根据权利要求1所述一种反极性红光led芯片，其特征在于，所述dbr钝化层包括由内向外依次交替设置的sin层和tio2层，所述dbr钝化层的总层数为5～9。

3.根据权利要求1所述一种反极性红光led芯片，其特征在于，所述dbr钝化层的总层数为7层，单层sin层的厚度为100nm，折射率为1.9；单层tio2层的厚度为50nm，折射率为2.3。

4.根据权利要求1所述一种反极性红光led芯片，其特征在于，所述第一台阶状蚀刻道立面的上沿与所述n型粗化层的上表面齐平，所述第一台阶状蚀刻道的台阶面与所述第二台阶状蚀刻道的立面相邻接。

5.根据权利要求1所述一种反极性红光led芯片，其特征在于，所述gap窗口层包括gap基层和高掺杂gap表层，所述gap基层的上表面紧邻所述p型半导体层设置，所述高掺杂gap表层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宝，孙岩，谢粤平，戴文，林擎宇，王克来，李俊承，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：