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本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。该芯片包括键合设置于Si衬底上的介质膜层和反极性红光外延片；所述反极性红光外延片包括从下至上依次设置的GaP窗口层、P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述N型半导体层...
该专利属于南昌凯捷半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯捷半导体科技有限公司授权不得商用。

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