LED制造技术

本发明专利技术提供

【技术实现步骤摘要】
LED倒装芯片的制备方法及LED倒装芯片


[0001]本专利技术属于半导体
，具体地涉及
LED
倒装芯片的制备方法及
LED
倒装芯片
。

技术介绍

[0002]发光二极管作为一种新型节能
、
环保固态照明光源，具有能效高
、
体积小
、
重量轻
、
响应速度快以及寿命长等优点，使其在很多领域得到了广泛应用
。
其中，倒装
LED
芯片因其散热好，省打线，可靠性好而被广泛应用
。
[0003]LED
倒装芯片相对于正装芯片具有低电压，高亮度，高稳定性等特点，被广泛应用在当前照明和
TV
中
。
目前量产
LED
倒装芯片蒸镀
DBR
工艺使用
56L
的晶控方法，一定波段内的
DBR
膜层反射率较低，且镀膜时间长
。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了
LED
倒装芯片的制备方法及
LED
倒装芯片，用于解决一定波段内晶控法制备
DBR
膜层反射率较低，且镀膜时间长的技术问题
。
[0005]一方面，该专利技术提供以下技术方案，一种
LED
倒装芯片的制备方法，提供一衬底；
[0006]在所述衬底上沉积外延层；
>[0007]在所述外延层上制备电极导电层；
[0008]在所述电极导电层上制备电极层；
[0009]采用光控法在所述电极层上制备
DBR
反射层，其中，所述
DBR
反射层包括周期性交替层叠的第一膜层和第二膜层，所述
DBR
膜层的首层和尾层均为所述第一膜层，任一周期内的所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度；
[0010]在所述
DBR
反射层上制备焊盘层
。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：与产线量产蒸镀
DBR
‑
56L
的
LED
倒装芯片相比，该方式制备出来的
LED
倒装芯片不仅亮度大幅提升，而且提高了产线的量产能力和节约了成本
。
在
380nm
‑
650nm
蓝绿光波段，晶控法蒸镀
DBR
为
56L
膜层的
LED
倒装芯片的反射率最高为
96.8
％，而光控法蒸镀
DBR
为
35L
膜层的
LED
倒装芯片的反射率为
99
％，表明光控法蒸镀
DBR
为
35L
制备的
LED
倒装芯片的反射率提高
2.2
％，能有效提高
LED
倒装芯片的出光率，通过简化
LED
倒装芯片
DBR
的膜层结构，在所需的波段内提高
LED
倒装芯片
DBR
的反射率，提高芯片出光率，进而使
LED
倒装芯片的亮度提升
。
另外现有的
DBR
‑
56L
晶控法蒸镀和刻蚀总用时为
6.67h
，而本专利技术的
DBR
‑
35L
光控法蒸镀和刻蚀总用时
4.43h
，从而节约了制备时间，节约了
2h
多
。
[0012]进一步的，所述采用光控法在所述电极层上制备
DBR
反射层的步骤包括：
[0013]在所述电极层上沉积首层的所述第一膜层，并放入
DBR
镀锅中；
[0014]在首层的所述第一膜层上沉积所述第二膜层，周期性交替层叠所述第一膜层和所述第二膜层，同时利用所述光控法实时监控所述
DBR
膜层的反射率，进而确认所述
DBR
膜层
的厚度，以形成所述
DBR
反射层
。
[0015]进一步的，所述光控法包括计算公式及监控玻璃片，所述计算公式为：
[0016][0017]在公式中：
R
表示为反射率，
n
k
表示为光控片折射率，
n
表示为
DBR
薄膜折射率，1表示为空气折射率，
λ
表示为光的波长，
d
表示为
DBR
薄膜厚度
。
[0018]进一步的，蒸镀所述第二膜层的坩埚数量范围为
15
个
‑
20
个，所述第二膜层中的
Ar
流量范围为
15sccm
‑
30sccm
，所述第二膜层的蒸镀速率范围为所述第一膜层的生长气压范围为
0.8*10
‑3Pa
‑
1.2*10
‑3Pa。
[0019]进一步的，所述第一膜层的预融源预融分为四个步骤，其中，步骤一的时间范围为
15S
‑
25S
，电流范围为
200mA
‑
240mA
，步骤二的时间范围为
15S
‑
25S
，电流范围为
280mA
‑
320mA
，步骤三的时间范围为
25S
‑
35S
，电流范围为
500mA
‑
600mA。
[0020]进一步的，所述在所述衬底上沉积外延层的步骤包括：
[0021]在所述衬底上依次沉积
N
型层
、
有源层及
P
型层，以形成所述外延层
。
[0022]进一步的，所述在所述外延层上制备电极导电层的步骤包括：
[0023]刻蚀部分所述有源层及
P
型层以暴露所述
N
型层；
[0024]在所述
P
型层对应区域上制备电流阻挡层；
[0025]在所述
P
型层上和电流阻挡层上制备电流扩展层，以得到电极导电层
。
[0026]进一步的，所述在所述电极导电层上制备电极层的步骤包括：
[0027]在所述电流扩展层的对应区域上制备
P
电极，在暴露的所述
N
型层上制备
N
电极
。
[0028]进一步的，所述在所述
DBR
反射层上制备焊盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
LED
倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上沉积外延层；在所述外延层上制备电极导电层；在所述电极导电层上制备电极层；采用光控法在所述电极层上制备
DBR
反射层，其中，所述
DBR
反射层包括周期性交替层叠的第一膜层和第二膜层，所述
DBR
膜层的首层和尾层均为所述第一膜层，任一周期内的所述第一膜层的厚度大于所述第二膜层的厚度；在所述
DBR
反射层上制备焊盘层
。2.
根据权利要求2所述的
LED
倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述采用光控法在所述电极层上制备
DBR
反射层的步骤包括：在所述电极层上沉积首层的所述第一膜层，并放入
DBR
镀锅中；在首层的所述第一膜层上沉积所述第二膜层，周期性交替层叠所述第一膜层和所述第二膜层，同时利用所述光控法实时监控所述
DBR
膜层的反射率，进而确认所述
DBR
膜层的厚度，以形成所述
DBR
反射层
。3.
根据权利要求2所述的
LED
倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述光控法包括计算公式及监控玻璃片，所述计算公式为：在公式中：
R
表示为反射率，
n
k
表示为光控片折射率，
n
表示为
DBR
薄膜折射率，1表示为空气折射率，
λ
表示为光的波长，
d
表示为
DBR
薄膜厚度
。4.
根据权利要求2所述的
LED
倒装芯片的制备方法，其特征在于，蒸镀所述第二膜层的坩埚数量范围为
15
个
‑
20
个，所述第二膜层中的
Ar
流量范围为
15sccm
‑
30sccm
，所述第二膜层的蒸镀速率范围为所述第一膜层的生长气压范围为
0.8*10
‑3Pa
‑
1.2*10
‑3Pa。5.
根据权利要求2所述的
LED
倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述第一膜层的预融源预融分为四个步骤，其中，步骤一的时间范围为

【专利技术属性】
技术研发人员：曾智平，鲁洋，吴晓霞，李文涛，林潇雄，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：