在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一：将氯铂酸与异丙醇按照1g：10—100ml比例进行混合，混合后在常温下静置大于24小时；步骤二：将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上，硅片涂覆后在常温下放置大于2小时；步骤三：将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900-1000℃高温处理大于15分钟。本发明专利技术改变了传统的物理方式淀积Pt工艺，将化学方式淀积Pt工艺应用到Pt掺杂工艺当中，不仅降低了生产成本，也减小了生产投入资金，利于大规模生产制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。属于集成电路或分立器件制造

技术介绍
在生产分立器件开关二极管、快恢复二极管芯片中有一道非常关键的工序就是重金属掺杂；在半导体硅中掺入重金属后，重金属原子会以替位或填隙方式占据在硅中，形成深能级复合中心，这缩短了少子复合路程，大大提高少子复合几率，减小少子寿命，从而达到减小反向恢复时间的目的。如果没有该工序，所生产出来的二极管芯片反向恢复时间很长，不能用于高频电路中，Pt就是掺杂金属之一。目前国内半导体生产厂家在半导体中掺入Pt原子的方法是将纯度为99.999%的金属Pt通过受控的高能电子束轰击，将电子轰击的动能转化为热能，瞬间使金属Pt融化并转化为气态，均匀地蒸发到半导体硅片上，然后对硅片进行高温处理，以达到将Pt原子掺入到半导体硅中的目的。由于金属Pt在淀积到硅片的过程中是无方向性的，很多都淀积在生产设备中，故会造成很大浪费，这是该技术的缺点之一；另外，该技术所用生产材料成本高，生产设备昂贵是另一弊端。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种无需贵重金属材料和昂贵的生产设备即可实现的低成本Pt掺杂工艺。本专利技术的目的是这样实现的:一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一：将氯铂酸与异丙醇按照1g：10—100ml比例进行混合，混合后在常温下静置大于24小时；步骤二：将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上，硅片涂覆后在常温下放置，放置时间大于2小时；?步骤三：将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900?1000℃高温处理，处理时间大于15分钟。

【技术特征摘要】
1.一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤: 步骤一:将氯钼酸与异丙醇按照Ig =IO-1OOml比例进行混合，混合后在常温下静置大于24小时； 步骤二...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑞，吕伟，丁军，陈晓伦，冯东明，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：