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本发明涉及一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一：将氯铂酸与异丙醇按照1g：10—100ml比例进行混合，混合后在常温下静置大于24小时；步骤二：将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上，硅片涂覆...
该专利属于江阴新顺微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴新顺微电子有限公司授权不得商用。

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