【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体生产工艺，特别是涉及一种用于半导体用硅晶片的附磷涂硼工艺。
技术介绍
在半导体领域的生产中，扩散工艺是晶体硅太阳能电池生产过程中的一道关键工序，其中，磷硼同扩工艺，即同时附磷、硼纸进行磷扩散和硼扩散是最常被采用的，其工艺特点在于工艺简单，易操作，生产效率高，但磷硼同扩容易导致扩散不均，影响良品率，生产成本也较高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种操作简单，扩散均匀，良品率高，生产成本低的附磷涂硼工艺。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于:磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成:步骤1:在晶片表面附磷纸，进行磷扩散；步骤2:在晶片表面涂硼液， 再进行硼扩散。先进行磷扩散再进行硼扩散可以保证磷、硼扩散的均匀性，提高良品率，硼液利用率高，生产成本低。前述的一种附磷涂硼工艺，其特征在于:所述步骤2中，涂硼液的手法为:从晶片外圈向晶片内圈涂。硼液涂抹均匀，有利于硼扩散的均匀性，提高品质。前述的一种附磷涂硼工艺，其特征在于，所述步骤2中，涂硼液在涂片机台上完成，使用涂片...
【技术保护点】
一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于：磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成：步骤1：在晶片表面附磷纸，进行磷扩散；步骤2：在晶片表面涂硼液，再进行硼扩散。
【技术特征摘要】
1.一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于:磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成: 步骤1:在晶片表面附磷纸，进行磷扩散； 步骤2:在晶片表面涂硼液，再进行硼扩散。2.根据权利要求1所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：张仓生，
申请(专利权)人：昆山东日半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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