一种去除金属硅中杂质磷和硼的方法技术

本发明专利技术涉及一种去除金属硅中杂质磷和硼的方法，该方法包括以下步骤：将硅块装入中频感应炉石墨坩埚中加热熔化；向硅液中投入造渣剂，继续加热使造渣剂完全熔化；将带有通气孔道的石墨棒预热，待预热充分后将通气棒插入到硅液中，通气搅拌；待反应完全后，保温静置；将硅液倒入带加热功能的结晶器中凝固；待硅锭冷却后，去除硅锭表面渣块；将硅锭破碎、磨粉，对硅粉进行酸洗、清洗和烘干，得到提纯后的低磷、硼多晶硅。该方法除磷、硼效果好，降低了提纯多晶硅的成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种去除金属硅中杂质磷和硼的方法，包括如下步骤：（1）将硅块加热熔化，加热温度为1500‑1700℃；（2）向硅液中投入造渣剂，继续加热使造渣剂完全熔化；（3）将带有通气孔道的石墨棒预热后插入硅液中，开始通氩气搅拌，在搅拌的条件下，硅液中的杂质磷和硼与造渣剂更充分地进行反应，反应完全后，保温；（4）将步骤（3）中得到的硅液在结晶器中缓慢凝固形成硅锭，待硅锭冷却后，去除硅锭表面渣块；（5）将步骤（4）中得到的硅锭破碎、磨粉，对硅粉进行酸洗、清洗和烘干，得到提纯后的低磷、硼多晶硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟生，谢兴源，杨凤炳，龚炳生，
申请(专利权)人：福建兴朝阳硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35