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本发明公开了一种附磷涂硼工艺，包括磷扩散步骤和硼扩散步骤，其特征在于：磷扩散和硼扩散采用以下步骤完成：步骤1：在晶片表面附磷纸，进行磷扩散；步骤2：在晶片表面涂硼液，再进行硼扩散。本发明用于半导体制造的扩散工艺，工艺操作简单，磷、硼扩散均匀...
该专利属于昆山东日半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山东日半导体有限公司授权不得商用。

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